요약 | 본 발명은 이중산화를 이용한 그래핀 제조방법 및 그에 의해 제조된 그래핀에 관한 것으로서, 흑연을 산화시켜 산화그래핀을 제조하는 제 1산화단계, 상기 산화그래핀을 산화시켜 이중산화 그래핀을 제조하는 제 2산화단계 및 상기 이중산화 그래핀을 환원시켜 그래핀을 제조하는 환원단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 흑연을 이중산화함으로써, 그래핀 시트간 층간 거리 및 표면적이 넓은 그래핀을 제조하는 방법을 제공할 수 있으며, 다량의 표면 결합과 많은 관능기에 의해 리튬 이온의 저장 능력이 향상된 그래핀을 제공할 수 있다. |
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Int. CL | C01B 31/02 (2006.01) |
CPC | C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020140021235 (2014.02.24) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1465391-0000 (2014.11.19) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20141125) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.02.24) |
심사청구항수 | 10 |