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커패시터 및 이를 제조하는 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144761
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터는, 기판; 및 상술한 기판의 상면에 적층된 복수의 금속 층과, 그 금속 층 사이에 형성된 유전체 층을 포함하고, 각 유전체 층은 적층된 금속 층에 대해 애노다이징(Anodizing) 처리를 통해 형성된 특징을 가짐으로써, 초저온 및 초고온 조건에서 고용량을 가지고 안정적으로 동작될 수 장점이 있다.
Int. CL H01G 9/008 (2006.01) H01G 9/045 (2006.01)
CPC H01G 9/045(2013.01) H01G 9/045(2013.01) H01G 9/045(2013.01)
출원번호/일자 1020120107038 (2012.09.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1432138-0000 (2014.08.13)
공개번호/일자 10-2014-0040420 (2014.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기 수원시 권선구
2 박화선 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0782598-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053907-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0869140-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0149319-39
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0149320-86
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0298381-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0515156-24
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0515157-70
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0474120-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
커패시터 제조방법에 있어서,(a) 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 기판의 상면에 금속 층을 적층시키는 단계;(c) 적층된 금속 층에 대해 애노다이징(Anodizing) 처리를 수행하여 유전체 층을 형성시키는 단계; (d) 진공증착 방식을 통해 상기 유전체 층의 상면에 보조 층을 증착시키는 단계;(e) 상기 보조 층의 상면에 금속 층을 적층시키는 단계; 및(f) 상기 기판으로부터 홀수 번째 금속 층들과 제 1 단자 사이에 제 1 전극을 서로 접속시키고, 상기 기판으로부터 짝수 번째 금속 층들과 제 2 단자 사이에 제 2 전극을 서로 접속시키는 단계;를 포함하되,상기 유전체 층은 각각 서로 독립적으로 분리되어 형성되어 있고,상기 (c) 단계 및 (e) 단계를 순차적으로 1회 이상 수행하는 커패시터 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는상기 적층된 금속 층을 애노다이징 액에 담그는 단계; 및상기 적층된 금속 층에 가하는 전압 또는 처리 시간을 조절하여 상기 유전체 층의 두께를 조절하는 단계를 포함하는 커패시터 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, (g) 상기 제공된 기판에 기설계된 전자회로와 각각의 금속 층을 서로 연결시키는 단계를 더 포함하는 커패시터 제조방법
6 6
커패시터에 있어서,기판;상기 기판의 상면에 적층된 복수의 금속 층과, 상기 금속 층 사이에 형성된 유전체 층;상기 기판으로부터 n+1번째 금속 층과 n번째 유전체 층 사이에 형성되는 보조 층; 및상기 기판으로부터 홀수 번째 금속 층들과 제 1 전극을 통해 접속된 제 1 단자 및 상기 기판으로부터 짝수 번째 금속 층들과 제 2 전극을 통해 접속된 제 2 단자;를 포함하되, 상기 유전체 층은 각각 서로 독립적으로 분리되어 형성되어 있고, 상기 유전체 층은 상기 금속 층에 대해 애노다이징(Anodizing) 처리를 통해 형성된 것인 커패시터
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 6 항에 있어서,상기 금속 층은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)삼영에스앤씨 부품소재산업경쟁력향상 Nano Pore 구조를 이용한 정전 용량 3㎌(±3%)급, 50㎜×50㎜×5㎜ 크기의 박막 적층 캐패시터 개발