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광소자의미세전극형성방법

  • 기술번호 : KST2015144827
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광소자의 미세전극 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판 상에 유전박막, 니켈크롬(NiCr)막, 금막 및 크롬막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 크롬막 상에 도금가이드용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 식각하여 크롬막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴 및 크롬막 패턴에 의하여 한정된 개구부에 금을 전기도금(electroplating)하여 도금막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴 및 크롬막 패턴을 제거하는 단계와, 상기 도금막 패턴을 마스크로 상기 금막 및 니켈크롬(NiCr)막을 식각하는 단계를 포함하여 도금막 패턴, 금막 패턴 및 니켈크롬(NiCr)막 패턴으로 구성된 미세전극을 형성한다. 상기 기판은 LiNbO3, LiTaO3, GaAs, InP 및 유리 기판중에서 선택된 어느 하나를 이용한다. 본 발명의 광소자의 미세전극 형성방법은 미세전극의 두께를 두껍게 형성하여 종래의 광소자 보다 변조대역폭을 크게 할 수 있다.
Int. CL H01L 21/288 (2006.01.01) G02B 6/10 (2006.01.01)
CPC H01L 21/2885(2013.01) H01L 21/2885(2013.01)
출원번호/일자 1019960047782 (1996.10.23)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0204093-0000 (1999.03.25)
공개번호/일자 10-1998-0028645 (1998.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형도 대한민국 경기도 송탄시
2 김성구 대한민국 경기도 평택시
3 윤대원 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
4 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1996-0164893-86
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.01.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1996-0164894-21
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083965-95
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0056121-63
6 FD제출서
FD Submission		 1999.03.24 수리 (Accepted) 2-1-1999-5051876-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

기판 상에 니켈크롬(NiCr)막, 금막 및 크롬막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기크롬막 상에 도금가이드용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 식각하여 크롬막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 크롬막 패턴에 의하여 한정된 개구부에 금을 전기도금 (electroplating)하여 도금막 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 및 크롬막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 도금막 패턴을 마스크로 상기 금막 및 니켈크롬(NiCr)막을 식각하는 단계를 포함하여 도금막 패턴, 금막 패턴 및 니켈크롬(NiCr)막 패턴으로 구성된 미세전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 광소자의 미세전극 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 기판은 LiNbO3, LiTaO3, GaAs, InP 및 유리 기판중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광소자의 미세전극 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.