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전계발광소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015144843
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계발광소자를 개시한다. 본 발명의 전계발광소자는 유리 기판의 전면에 형성된 제1 투명전극과, 상기 제1 투명전극 상에 형성된 제1 절연층과, 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 녹색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격되어 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 적색 형광체 패턴과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴의 전면에 형성된 제2 절연층과, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 투명전극과, 상기 유리기판의 후면에 형성된 제3 투명전극과, 상기 제3 투명전극 상에 형성된 제3 절연층과, 상기 제3 절연층 상에 형성된 후막형 청색 형광체 패턴과, 상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 형성된 하부 전극을 포함한다.
Int. CL H05B 33/14 (2006.01.01) H05B 33/10 (2006.01.01)
CPC H05B 33/14(2013.01) H05B 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1019970013934 (1997.04.16)
출원인 한국전자기술연구원
등록번호/일자 10-0207587-0000 (1999.04.13)
공개번호/일자 10-1998-0076991 (1998.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (19990715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.04.16)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박용규 대한민국 경기도 송탄시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 권석흠 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
3 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
4 윤창일 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.04.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0045306-39
2 특허출원서
Patent Application		 1997.04.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0045304-48
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.04.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0045305-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5083982-61
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0101513-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

유리 기판의 전면에 형성된 제1 투명전극;

상기 제1 투명전극 상에 형성된 제1 절연층;

상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 녹색 형광체 패턴;

상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격되어 상기 제1 절연층 상에 형성된 박막형 적색 형광체 패턴;

상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴의 전면에 형성된 제2 절연층;

상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 투명전극;

상기 유리기판의 후면에 형성된 제3 투명전극;

상기 제3 투명전극 상에 형성된 제3 절연층;

상기 제3 절연층 상에 형성된 후막형 청색 형광체 패턴; 및

상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 형성된 하부 전극을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

3 3

제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 중첩되지 않게 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

4 4

제1항에 있어서, 상기 박막형 녹색 형광체 패턴은 ZnS:Tb로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

5 5

제1항에 있어서, 상기 박막형 적색 형광체 패턴은 CaS:Eu로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

6 6

제1항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 ZnS:Cu로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

7 7

제1항에 있어서, 상기 제1 절연층과 및 제2 절연층은 Y2O3막으로 구성되고, 제3 절연층은 BaTiO3막으로으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

8 8

제1항에 있어서, 상기 제1 투명전극, 제2 투명전극 및 제3 투명전극은 ITO(indium Tin Oxide)막으로 구성하고, 상기 하부전극은 ITO막 또는 Al막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자

9 9

제1 유리 기판 상에 제1 투명전극을 형성하는 단계;

상기 제1 투명전극 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;

상기 제1 절연층 상에 박막형 녹색 형광체 패턴과 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 이격된 박막형 적색 형광체 패턴을 형성하는 단계;

상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴이 형성된 제1 유리 기판의 전면에 제2 절연층을 형성하는 단계;

상기 박막형 녹색 형광체 패턴 및 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 상기 제2 절연층 상에 제2 투명전극을 형성하는 단계;

제2 유리 기판 상에 제3 투명전극을 형성하는 단계;

상기 제3 투명전극 상에 제3 절연층을 형성하는 단계;

상기 제3 절연층 상에 후막형 청색 형광체 패턴을 형성하는 단계;

상기 후막형 청색 형광체 패턴 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 및

상기 제1 유리기판 및 제2 유리기판을 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

10 10

제9항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응되게 형성하는 것을 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

11 11

제9항에 있어서, 상기 후막형 청색 형광체 패턴은 상기 박막형 녹색 형광체 패턴과 박막형 적색 형광체 패턴에 대응하여 중첩되지 않게 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.