맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

후막형전계발광소자

  • 기술번호 : KST2015144947
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 기판의 상측면에 투명 전극층을 형성하고, 투명 전극층의 상측면에 형광체와 절연체를 설정 비율로 혼합하여 도포한 다음 건조시켜 발광층을 형성한다. 다음에 발광층의 상측면에 액상의 전도성 물질을 도포하여 배면 전극층을 형성한다. 이와 같이 형광체와 절연체가 혼합됨에 따라, 절연체와 형광체의 계면 전하 밀도가 증가되어 투명 전극층과 배면 전극층 사이에 전압이 인가되면, 절연체와 형광쳬의 계면에 대전되었다가 형광체내로 주입되는 전자가 증가되어 발광 휘도의 세기가 증가하게 된다. 또한, 절연체가 이루는 절연층의 두께가 감소되어 소비 전력이 기존의 후막형 전계 발광 소자에 비교하여 1/3로 감소된다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H05B 33/20(2013.01) H05B 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1019980029423 (1998.07.22)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0301759-0000 (2001.06.27)
공개번호/일자 10-1998-0087581 (1998.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011027) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.22)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박용규 대한민국 경기도 평택시 송탄지역

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송만호 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기 평택시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090482-35
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090483-81
3 특허출원서
Patent Application		 1998.07.22 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090481-90
4 조기출원공개신청서
Request for Laying Open of Early Application		 1998.09.07 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090484-26
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.14 수리 (Accepted) 4-1-1999-0005793-30
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-5084212-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0155236-97
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5264907-30
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-5293886-38
10 의견서
Written Opinion		 2000.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-5316335-88
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0306580-86
12 의견서
Written Opinion		 2001.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-5025882-27
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5025883-73
14 등록사정서
Decision to grant		 2001.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0152282-07
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판과;

상기 기판 위에 형성되어 있는 제1전극층과;

상기 제1전극층 위에 형성되어 있고, 형광체와 절연체가 혼합되어 이루어진 발광층과;

상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2전극층을 포함하는 후막형 전계 발광 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.