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반도체식 가스 센서용 촉매-도핑된 산화주석 분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145014
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체식 가스 센서용으로 유용한 촉매-도핑된 산화주석 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 산화주석 분말을 액상 조건하에서 촉매 물질과 혼합하고 건조 및 열처리하여 촉매-도핑된 산화주석 분말을 제조함에 있어서, 촉매 물질로서 백금 또는 팔라듐-함유 유기화합물을, 용매로서 유기용매를 사용하는 본 발명의 방법에 의하면, 저온 조건하에서도 가스 감지 특성이 우수한 반도체식 가스 센서용 촉매-도핑된 산화주석 나노분말을 제조할 수 있다.
Int. CL C01G 19/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01)
출원번호/일자 1020020025783 (2002.05.10)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0551225-0000 (2006.02.03)
공개번호/일자 10-2003-0087429 (2003.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20060209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성제 대한민국 경기도군포시산
2 한정인 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
3 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2002-0143106-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0057815-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0291626-95
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0422419-33
6 의견서
Written Opinion		 2004.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0422417-42
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0073228-14
8 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2005.04.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2005-5008399-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2005.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0224295-50
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0023077-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체식 가스 센서에 이용되는 감지물질로서, 촉매 도핑되고 각 입자가 20nm 이하인 산화주석 분말을 제조 하는 방법에 있어서,염소기가 포함되지 않고, 그 입자 직경이 20nm 이하인 순수 산화주석 분말을 준비하는 단계와,유기 용매를 이용하여 백금 또는 팔라듐 함유 유기 화합물을 이온화 시키는 단계와,상기 이온을 상기 산화주석 분말에 담지하는 단계와,0도 내지 50도에서 혼합 및 건조하는 단계와,250도 내지 300도에서 열처리 하는 단계를 포함하는 촉매 도핑된 나노 단위 산화주석 분말 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 백금 또는 팔라듐-함유 유기화합물이 팔라듐 아세테이트, 팔라듐 아세틸아세토네이트, 백금 아세틸아세토네이트 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 유기용매가 아세톤, 이소프로판올, 에탄올, 메탄올 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 촉매 물질을 산화주석 분말에 대해 0
7 7
제 1 항의 방법에 의해 제조된, 촉매-도핑된 산화주석 분말
8 8
제 7 항에 있어서, 입자의 크기가 2 내지 15 nm인 것을 특징으로 하는, 촉매-도핑된 산화주석 분말
9 9
제 7 항의 촉매-도핑된 산화주석 분말이 가스 감지 물질로서 사용된, 반도체식 가스 센서
10 9
제 7 항의 촉매-도핑된 산화주석 분말이 가스 감지 물질로서 사용된, 반도체식 가스 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.