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지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015145146
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 광투과형 기판 상부에 상호 이격된 제 1 내지 3 게이트를 형성하는 단계와; 상기 제 1 게이트의 일측 상부면을 감싸는 전극라인을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트와 전극라인을 감싸도록 광투과형 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트 각각의 상부 영역에 존재하는 절연막 상부에 제 1 내지 3 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 제 3 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저(Excimer laser)광을 조사하여, 제 3 비정질 실리콘층을 결정화된 다결정 실리콘층으로 변화시키는 단계와; 상기 제 1과 2 비정질 실리콘층과 다결정 실리콘층 각각의 일측 상부를 감싸는 소스(Source)를 형성하고, 타측 상부를 감싸는 드레인을 형성하며, 상기 제 1 비정질 실리콘층의 드레인과 제 2 비정질 실리콘층의 소스를 연결하는 단계와; 상기 절연막, 제 1과 2 비정질 실리콘층, 다결정 실리콘층, 소스와 드레인을 감싸는 패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 비정질 실리콘층 상부에 존재하는 패시베이션층 상부에 광차단막을 형성하는 단계로 이루어진다. 따라서, 본 발명은 지문 인식 센서와 구동소자용 박막 트랜지스터를 일체로 광투과형 기판 상에 형성할 수 있으므로, 지문 인식 시스템의 소형화를 달성할 수 있고, 제조 경비를 낮출 수 있으며, 제작 공정을 단순화시킬 수 있는 효과가 있다. 지문, 인식, 센서, 박막, 트랜지스터, 구동, 다결정, 비정질
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 27/14678(2013.01) H01L 27/14678(2013.01)
출원번호/일자 1020040001114 (2004.01.08)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0072956 (2005.07.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.01.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영훈 대한민국 경기도오산시
2 문대규 대한민국 경기도용인시
3 한정인 대한민국 서울특별시송파구
4 홍성제 대한민국 경기도군포시산
5 김원근 대한민국 경기도오산시
6 곽민기 대한민국 경기도오산시
7 이찬재 대한민국 서울특별시동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0006517-63
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.01.28 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2004-0034218-17
3 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2004.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0012276-33
4 반려통지서
Notice for Return		 2004.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0023045-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0417060-10
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0030095-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
광투과형 기판 상부에 상호 이격된 제 1 내지 3 게이트를 형성하는 단계와; 상기 제 1 게이트의 일측 상부면을 감싸는 전극라인을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트와 전극라인을 감싸도록 광투과형 기판 상부에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 내지 3 게이트 각각의 상부 영역에 존재하는 절연막 상부에 제 1 내지 3 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 제 3 비정질 실리콘층에 엑시머 레이저(Excimer laser)광을 조사하여, 제 3 비정질 실리콘층을 결정화된 다결정 실리콘층으로 변화시키는 단계와; 상기 제 1과 2 비정질 실리콘층과 다결정 실리콘층 각각의 일측 상부를 감싸는 소스(Source)를 형성하고, 타측 상부를 감싸는 드레인을 형성하며, 상기 제 1 비정질 실리콘층의 드레인과 제 2 비정질 실리콘층의 소스를 연결하는 단계와; 상기 절연막, 제 1과 2 비정질 실리콘층, 다결정 실리콘층, 소스와 드레인을 감싸는 패시베이션층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 비정질 실리콘층 상부에 존재하는 패시베이션층 상부에 광차단막을 형성하는 단계로 이루어진 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전극라인은 ITO막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 내지 3 게이트 및 광차단막은, Mo 또는 Cr로 형성하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 절연막 및 패시베이션층은 SiNx 또는 SiOx로 형성하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 절연막 및 패시베이션층은 SiNx 또는 SiOx로 형성하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 센서와 일체로 구동소자용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.