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기판과, 상기 기판상에 형성되는 양극층과, 상기 양극층상에 형성되는 발광 유기물 층과, 상기 유기물층 상에 형성되는 음극층을 포함하되, 상기 음극층은 Ca, Mg, Ba, Sr, Y 을 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 형성되는 제1 금속층과 Ag 및 Al 중 하나로 형성되는 제2 금속층으로 구성되며, 상기 음극층의 두께는 7 nm 내지 40nm 인 것을 특징으로 하는 OLED 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이에 개재되는 상기 제1 금속층의 산화막을 더 포함하는 OLED 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이에 개재되는 상기 제2 금속층의 산화막을 더 포함하는 OLED 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 사이에 개재되는 상기 제1 금속층 및 제2 금속층의 산화막을 더 포함하는 OLED 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2금속층 위에 SiO2, Ta2O5, SiON, Si3N4, Al2O3, Polyimide, Parylene 중 하나로 이루어지는 코팅막을 더 포함하는 OLED 소자
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기판과, Ca, Mg, Ba, Sr, Y 을 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 상기 기판상에 형성되는 제1 금속층과, Ag 및 Al 중 하나로 상기 제1 금속층상에 형성되는 제2 금속층과, 상기 제2 금속층상에 형성되는 발광 유기층과, Ca, Mg, Ba, Sr, Y 을 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 상기 발광 유기층상에 형성되는 제3 금속층과, Ag 및 Al 중 하나로 상기 제3 금속층상에 형성되는 제4 금속층을 포함하며, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층의 두께의 합과, 상기 제3 금속층 및 제4 금속층의 두께의 합은 각각 7nm 내지 40nm 인 것을 특징으로 하는 OLED 소자
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제6항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층 사이에, 상기 제1 금속층의 표면이 산화되어 형성된 산화막 및/또는 상기 제2 금속층의 표면이 산화되어 형성된 산화막을 더 포함하는 OLED 소자
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제6항에 있어서, 상기 제3 금속층 및 상기 제4 금속층 사이에, 상기 제3 금속층의 표면이 산화되어 형성된 산화막 및/또는 상기 제4 금속층의 표면이 산화되어 형성된 산화막을 더 포함하는 OLED 소자
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OLED를 포함하는 전자 디스플레이 장치의 제조 방법에 있어서, Ca, Mg, Ba, Sr, Y 을 포함하는 그룹에서 선택된 물질을 증착하여 3nm 내지 20nm 두께의 제1 금속층을 형성하는 단계와,상기 제1 금속층 상에 Ag 또는 Al 중 하나를 증착하여 5nm 내지 20nm 두께의 제2 금속층으로 형성하되, 상기 제1 금속층과 제2 금속층의 두께의 합이 40nm 이하가 되게 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함하여 투명 전극을 생성하는 과정을 포함하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 금속층 형성 단계 이후, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층의 접면이 될 제1금속층의 표면을 산화시키는 단계를 더 포함하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 금속층 형성 단계 이후, 투명 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법
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