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기판 상부에 완충층을 형성하고, 상기 완충층 상부에, 제 1 극성을 갖는 불순물이 도핑되고, 상호 이격되어 있는 제 1과 2 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬과 이격된 완충층 상부에, 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 불순물이 도핑되고, 상호 이격되어 있는 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬 사이 및 상기 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island) 사이 각각에 진성 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 제 1 내지 제 4 비정질 실리콘 섬을 제 1 내지 제 4 다결정 실리콘 섬으로 결정화시키고, 상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬 사이 및 상기 제 3과 4 비정질 실리콘 섬 사이 각각에 형성된 진성 비정질 실리콘층을 진성 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 단계와;상기 제 1과 2 다결정 실리콘 섬 사이 및 상기 제 3과 4 다결정 실리콘 섬(Island) 사이 각각의 진성 다결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 게이트 전극 일부를 감싸는 층간 절연막을 형성하고, 상기 제 1 내지 4 다결정 실리콘 섬과 각각 접촉되는 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하여 구성되고,상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계는, 기판 상부에 완충층과 감광막을 순차적으로 형성하고, 상기 감광막을 선택적으로 식각하여, 상기 완충층이 노출되고 상호 이격된 제 1과 2 개구를 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 개구에 의해서 노출된 완충층 상부에, 제 1 극성을 갖는 불순물이 도핑되고, 상호 이격되어 있는 제 1과 2 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계와;상기 완충층 상부에 형성된 제 1과 2 비정질 실리콘 섬을 남겨놓고, 상기 감광막을 제거하는 단계로 이루어지며,제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계는,상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬을 감싸며, 상기 완충층 상부에 감광막을 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬과 이격된 영역에, 상기 감광막을 선택적으로 식각하여, 상기 완충층이 노출되고 상호 이격된 제 3과 4 개구를 형성하는 단계와;상기 제 3과 4 개구에 의해서 노출된 완충층 상부에, 상기 제 1 극성과 다른 제 2 극성을 갖는 불순물이 도핑되고, 상호 이격되어 있는 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island)을 형성하는 단계와;상기 완충층 상부에 형성된 제 1 내지 4 비정질 실리콘 섬을 남겨놓고, 상기 감광막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬 사이 및 상기 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island) 사이 각각에 진성 비정질 실리콘층을 형성하고, 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계는, 상기 완충층 상부에 진성(Intrinsic) 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬 및 그 사이의 진성 비정질 실리콘층과, 상기 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island) 및 그 사이의 진성 비정질 실리콘층을 남겨놓고 나머지 진성 비정질 실리콘층을 제거하는 단계와; 상기 제 1 내지 4 비정질 실리콘 섬과 진성(Intrinsic) 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 12 항에 있어서, 제 1과 2 비정질 실리콘 섬 사이 및 상기 제 3과 4 비정질 실리콘 섬(Island) 사이 각각에 진성 비정질 실리콘층 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 게이트 전극 일부를 감싸는 층간 절연막을 형성하고, 상기 제 1 내지 4 다결정 실리콘 섬과 각각 접촉되는 전극을 각각 형성하는 단계는,상기 제 1 내지 4 다결정 실리콘 섬과 진성(Intrinsic) 다결정 실리콘층을 감싸며, 상기 완충층 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 제 1과 2 다결정 실리콘 섬 사이에 있는 진성 다결정 실리콘층이 존재하는 상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하고, 상기 제 3과 4 다결정 실리콘 섬 사이에 있는 진성 다결정 실리콘층이 존재하는 상기 게이트 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극을 감싸며 상기 게이트 절연막 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막 및 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여, 상기 제 1 내지 4 다결정 실리콘 섬 각각의 일부를 노출시키고, 상호 이격되어 있는 개구들을 형성하는 단계와; 상기 노출된 제 1 내지 4 다결정 실리콘 섬과 각각 접촉되도록, 상기 개구들에 전극을 각각 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 12 항, 제 15 항 및 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 극성이 P타입 또는 N타입인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 12 항, 제 15 항 및 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 결정화시켜 주는 것은, 엑시머 레이저를 상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬과 남아있는 진성(Intrinsic) 비정질 실리콘층에 조사하거나, 또는 상기 제 1과 2 비정질 실리콘 섬과 남아있는 진성(Intrinsic) 비정질 실리콘층을 열처리하여 결정화시켜주는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제조 단계들을 포함하여 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는,역스태거드 구조(Inverted staggered structure), 코플라나 구조(Coplanar structure), LDD(Lightly doped drain) 구조와 GOLDD(Gate overlapped lightly doped drain) 구조 중에서 선택된 어느 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
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