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필드 플레이트를 구비한 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015145460
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자에 관한 것으로, 필드 플레이트가 전자 공급층에 연결되어 있어, 베리어층의 표면에 있는 전자들을 안정화시키고, 전자 공급층내로 축적되는 홀들을 포획하게 되어 전자 공급층도 안정화시킬 수 있으므로, 반도체 소자에서 과도 전류가 발생되는 요인을 제거할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 본 발명은 필드 플레이트로 과도 전류가 발생되는 요인을 제거함으로써, 항복 전압을 완화시킬 수 있는 것이다. 필드, 플레이트, 소자, 포획, 전계, 안정, 항복
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020080018880 (2008.02.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0906690-0000 (2009.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최홍구 대한민국 경기 성남시 분당구
2 한철구 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0151014-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030423-14
4 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0276770-37
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1
전자 공급층과; 상기 전자 공급층 상부에 형성된 베리어층과; 상기 베리어층 상부에 형성된 소스 전극과; 상기 베리어층 상부에 형성된 게이트 전극과; 상기 베리어층 상부에 형성된 드레인 전극과; 상기 게이트 전극에 인가된 전압에 의해 전자가 이동되는 이차원 전자 가스층(Two dimension electron gas layer)(2DEG)과; 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이의 베리어층 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성되고, 상기 전자 공급층에 전기적으로 연결되어 있는 필드 플레이트로 구성된 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 베리어층에서 상기 전자 공급층 상부 일부가 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 메사 식각된 전자 공급층 상부에 전극 패드가 형성되어 있고; 상기 필드 플레이트와 상기 전극 패드가 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 전자 공급층과 베리어층은, 질화물 반도체층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 전자 공급층은, GaN으로 형성되어 있고, 상기 베리어층은, InGaN 또는 AlGaN으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 전자 공급층은, 기판 상부에 있는 버퍼층 상부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 필드 플레이트를 구비한 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 전자부품연구원 IT원천기술개발사업 4G 기지국용 GaN 전력증폭기 개발