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스위치용 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015145506
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 게이트 전극 하부에 AlGaN층을 두껍게 형성하여 게이트 전극 하부에 형성된 채널에만 2DEG층이 형성되지 않도록 함으로써, 소자의 노멀 오프 상태를 구현하는 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터는 기판 상부에 형성되고, 불연속적으로 존재하는 2DEG층을 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상부에 형성되고, AlxGa1-xN으로 이루어진 장벽층; 상기 장벽층 상부에 형성되고, AlxGa1-xN 및 AlyGa1-yN 중 어느 하나로 이루어진 재성장층; 상기 재성장층이 형성된 영역을 제외한 상기 장벽층 상부에 형성된 패시베이션층; 상기 재성장층 상부에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 양측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다. 고전자 이동도 트랜지스터, HEMT, 스위치, 노멀 오프
Int. CL H01L 29/417 (2006.01) H01L 27/02 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020080094163 (2008.09.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1001222-0000 (2010.12.08)
공개번호/일자 10-2010-0034919 (2010.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최홍구 대한민국 경기도 하남시 덕
2 한철구 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)
3 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0674661-13
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0247197-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065729-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0320177-63
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0619772-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0619746-19
8 등록결정서
Decision to grant
2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0549890-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 형성되고, 불연속적으로 존재하는 2DEG층을 포함하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상부에 형성되고, AlxGa1-xN으로 이루어진 장벽층; 상기 장벽층 상부에 형성되고, AlxGa1-xN으로 이루어진 재성장층; 상기 재성장층이 형성된 영역을 제외한 상기 장벽층 상부에 형성된 패시베이션층; 상기 재성장층 상부에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 양측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 을 포함하는 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 2DEG층은 상기 재성장층 하부를 제외한 영역에 형성된 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 재성장층은 상기 장벽층보다 두꺼운 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN로 이루어진 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터
5 5
삭제
6 6
기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 AlxGa1-xN으로 이루어진 장벽층을 형성하는 단계; 상기 장벽층 상부에 패시베이션층을 형성한 후, 패터닝하여 상기 장벽층을 노출시키는 단계; 노출된 상기 장벽층 상부에 상기 장벽층보다 두껍게 AlxGa1-xN으로 이루어진 재성장층을 형성하는 단계; 상기 패시베이션층 상부에 소스 전극과 드레인 전극을 형성한 후, 열처리하는 단계; 및 상기 재성장층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 6항에 있어서, 상기 재성장층은 에피택셜 성장법으로 형성되는 스위치용 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 핵심기반기술개발사업 GaN-on-Si template를 이용한 고주파 power device 기술개발