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수동소자 및 그 제조방법(PASSIVE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017005743
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수동소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 인덕터는 기판의 일면 상에 형성된 인덕터 박막 패턴과, 상기 인덕터 박막 패턴을 둘러싸면서 상기 인덕터 박막 패턴에 대응되도록 상기 기판에 형성된 트렌치(trench) 및 상기 트렌치와 상기 기판 및 상기 인덕터 박막 패턴 상에 형성된 절연층을 포함하고, 상기 기판의 타면은 상기 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 연마되어 있는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 유손실(lossy) 실리콘 기판 기반의 수동소자에 있어서, 인접 소자로의 전기적 누설의 통로를 원천적으로 차단하여 전기적 손실을 차단하고 고주파 영역에서의 전기적 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/02 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 49/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/0288(2013.01) H01L 27/0288(2013.01) H01L 27/0288(2013.01)
출원번호/일자 1020150126058 (2015.09.07)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0029126 (2017.03.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.07)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김동수 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 육종민 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0865524-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049580-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0074434-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0237955-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0237957-49
7 등록결정서
Decision to grant
2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0520504-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일면 상에 형성된 인덕터 박막 패턴;상기 인덕터 박막 패턴을 둘러싸면서 상기 인덕터 박막 패턴에 대응되도록 상기 기판에 형성된 트렌치(trench); 및상기 트렌치와 상기 기판 및 상기 인덕터 박막 패턴 상에 형성된 절연층을 포함하고,상기 기판의 타면은 상기 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 연마되어 있는 것을 특징으로 하는, 인덕터
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 유손실(lossy) 특성을 갖는 실리콘 재질의 기판인 것을 특징으로 하는, 인덕터
3 3
제1항에 있어서,상기 인덕터 박막 패턴은 나선형(spiral)의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 인덕터
4 4
제1항에 있어서,상기 트렌치는 상기 인덕터 박막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는, 인덕터
5 5
제1항에 있어서,상기 인덕터 박막 패턴에 연결된 인덕터 전극배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 인덕터
6 6
기판의 일면 상에 인덕터 박막 패턴을 형성하는 박막 패턴 형성단계;상기 인덕터 박막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 상기 인덕터 박막 패턴을 둘러싸면서 상기 인덕터 박막 패턴에 대응하는 트렌치를 상기 기판에 형성하는 트렌치 형성단계;상기 트렌치와 상기 기판 및 상기 인덕터 박막 패턴 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계; 및상기 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 상기 기판의 타면을 연마하는 기판 연마단계를 포함하는, 인덕터 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 기판은 유손실(lossy) 특성을 갖는 실리콘 재질의 기판인 것을 특징으로 하는, 인덕터 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 인덕터 박막 패턴은 나선형(spiral)의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 인덕터 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 절연층 형성단계에서는, 유기 라미네이션(organic lamination) 또는 스핀 코팅(spin coating) 또는 몰딩(molding) 또는 스크린 프린팅(screen printing) 방식을 이용하여 상기 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 인덕터 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 절연층에 상기 인덕터 박막 패턴이 노출되도록 인덕터용 배선홀들을 형성하는 배선홀 형성단계; 및상기 인덕터용 배선홀들에 도전성 물질을 충진하여 인덕터 전극배선을 형성하는 전극배선 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 인덕터 제조방법
11 11
기판의 일면 상에 형성된 커패시터 박막 패턴과 인덕터 박막 패턴;상기 커패시터 박막 패턴을 둘러싸도록 상기 기판에 형성된 제1 트렌치(trench)와 상기 인덕터 박막 패턴을 둘러싸면서 상기 인덕터 박막 패턴에 대응되도록 상기 기판에 형성된 제2 트렌치를 포함하는 트렌치; 및상기 트렌치와 상기 기판과 상기 커패시터 박막 패턴 및 상기 인덕터 박막 패턴 상에 형성된 절연층을 포함하고,상기 기판의 타면은 상기 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 연마되어 있는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자
12 12
제11항에 있어서,상기 기판은 유손실(lossy) 특성을 갖는 실리콘 재질의 기판인 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자
13 13
제11항에 있어서,상기 인덕터 박막 패턴은 나선형(spiral)의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자
14 14
제11항에 있어서,상기 제2 트렌치는 상기 인덕터 박막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판을 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자
15 15
제11항에 있어서,상기 절연층에는 상기 커패시터 박막 패턴을 노출시키는 커패시터용 배선홀들과 상기 인덕터 박막 패턴을 노출시키는 인덕터용 배선홀들이 형성되어 있고,상기 커패시터용 배선홀들에는 커패시터 전극배선이 형성되어 있고, 상기 인덕터용 배선홀들에는 인덕터 전극배선이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자
16 16
기판의 일면 상에 커패시터 박막 패턴과 인덕터 박막 패턴을 형성하는 박막 패턴 형성단계;상기 기판에 상기 커패시터 박막 패턴을 둘러싸는 제1 트렌치(trench)를 형성하고, 상기 인덕터 박막 패턴을 마스크로 이용하여 상기 인덕터 박막 패턴을 둘러싸면서 상기 인덕터 박막 패턴에 대응하는 제2 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계;상기 트렌치와 상기 기판과 상기 커패시터 박막 패턴 및 상기 인덕터 박막 패턴 상에 절연층을 형성하는 절연층 형성단계; 및상기 트렌치에 형성된 절연층이 노출되도록 상기 기판의 타면을 연마하는 기판 연마단계를 포함하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 기판은 유손실(lossy) 특성을 갖는 실리콘 재질의 기판인 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자 제조방법
18 18
제16항에 있어서,상기 인덕터 박막 패턴은 나선형(spiral)의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자 제조방법
19 19
제16항에 있어서,상기 절연층 형성단계에서는, 유기 라미네이션(organic lamination) 또는 스핀 코팅(spin coating) 또는 몰딩(molding) 또는 스크린 프린팅(screen printing) 방식을 이용하여 상기 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자 제조방법
20 20
제16항에 있어서,상기 절연층에 상기 커패시터 박막 패턴이 노출되도록 커패시터용 배선홀들을 형성하고, 상기 인덕터 박막 패턴이 노출되도록 인덕터용 배선홀들을 형성하는 배선홀 형성단계; 및상기 커패시터용 배선홀들에 도전성 물질을 충진하여 커패시터 전극배선을 형성하고, 상기 인덕터용 배선홀들에 도전성 물질을 충진하여 인덕터 전극배선을 형성하는 전극배선 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 커패시터와 인덕터를 포함하는 수동소자 제조방법
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1 지식경제부 전자부품연구원 국제공동기술개발사업 IPD Si-기판을 이용한 이종 시스템 IC 집적화 공정기술 개발