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기판 상에 형성된 게이트 전극;
상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;
상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 전극;
상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상면에 형성되되, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부를 노출시키도록 채널 영역이 제거된 자기조립 단막층;
상기 채널 영역에 형성된 유기 반도체층;을 포함하는 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 기판은 유리, 석영, 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethyleneterephthalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리아크릴레이트 (Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone), 종이, 및 스테인레스 스틸(Stainless Steel) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은 금, 은, 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 및 백금 중 적어도 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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4
제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은
인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide) 및 인듐아연산화물(IZO, indium zinc oxide) 중 적어도 어느 하나의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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5
제1항에 있어서,
상기 게이트 전극은
전도성 고분자 및 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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6
제1항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 알루미늄 산화물, 및 탄탈륨 산화물 중 적어도 어느 하나;
폴리비닐페놀(Polyvinyl Phenol), 폴리비닐 알콜(Polyvinyl Alcohol), 및 폴리이미드(Polyimide)로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나; 및
이들의 혼합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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7
제1항에 있어서,
상기 소스 전극은,
금, 은, 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 및 백금 중 적어도 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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8
제1항에 있어서,
상기 소스 전극은,
인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide) 및 인듐아연산화물(IZO, indium zinc oxide) 중 적어도 어느 하나의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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9
제1항에 있어서,
상기 소스 전극은,
전도성 고분자 및 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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10
제1항에 있어서,
상기 드레인 전극은,
금, 은, 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 및 백금 중 적어도 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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11
제1항에 있어서,
상기 드레인 전극은,
인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide) 및 인듐아연산화물(IZO, indium zinc oxide) 중 적어도 어느 하나의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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12
제1항에 있어서,
상기 드레인 전극은,
전도성 고분자 및 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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13
제1항에 있어서,
상기 데이터 전극은,
금, 은, 크롬, 탄탈륨, 티타늄, 구리, 알루미늄, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, 및 백금 중 적어도 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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14
제1항에 있어서,
상기 데이터 전극은,
인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide) 및 인듐아연산화물(IZO, indium zinc oxide) 중 적어도 어느 하나의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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15
제1항에 있어서,
상기 데이터 전극은,
전도성 고분자 및 탄소나노튜브(CNT, Carbon nanotube) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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16
제1항에 있어서,
상기 자기조립 단막층은 옥타데딜트리클로로실란(octadecyltrichlorosilane), 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane), 및 4-클로로페닐 디플로로포스페이트(4-Chlorophenyl Dichlorophosphate) 중 적어도 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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17
제1항에 있어서,
상기 유기반도체층은 펜타센(Pentacene) 계열 유기화합물, 폴리싸이오펜 (Polythiophene) 계열 유기화합물, 및 테트라센(Tetracene) 계열 유기화합물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 유기화합물로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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18
제1항에 있어서,
상기 드레인 전극 및 상기 자기조립 단막층의 두께의 비는 상기 자기조립 단막층의 두께를 기준으로 하여 50 내지 100인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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19
제1항에 있어서,
상기 소스 전극 및 상기 자기조립 단막층의 두께의 비는 상기 자기조립 단막층의 두께를 기준으로 하여 50 내지 100인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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20
제1항에 있어서,
상기 자기조립 단막층의 두께는 1nm 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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21
제 1항 내지 제 20항 중 어느 하나의 항에 따른 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시소자
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제 21항에 의한 표시소자를 포함하는 표시용 전자기기
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기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 전극을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상면에 자기조립 단막층을 형성하고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부 및 상기 게이트 절연막을 노출시켜 채널 영역을 형성하는 단계; 및
상기 채널 영역에 유기 반도체층을 형성하는 단계;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
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24
제23항에 있어서,
상기 채널 영역을 형성하는 단계는,
상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 자기조립물질을 도포하여 자기조립 단막층을 형성하는 단계; 및
상기 자기조립 단막층 상에 채널영역 형상에 대응하는 포토마스크를 위치시키고 원자외선을 조사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
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제23항에 있어서,
상기 자기조립물질을 도포하여 자기조립 단막층을 형성하는 단계는,
상기 자기조립물질을 용매와 혼합하여 자기조립물질 용액을 형성하고,
상기 자기조립물질 용액에 상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 전극이 상면에 순차적으로 형성된 기판을 위치시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
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26
제23항에 있어서,
상기 유기 반도체층을 형성하는 단계는,
잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
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