| 1 |
1
무선랜 시스템의 출력신호의 증폭을 위한 전력증폭단, 상기 전력증폭단의 출력신호의 특성을 향상시키기 위한 매칭회로, 상기 전력증폭단의 2nd 하모닉 성분을 줄이기 위한 저역통과필터 및 전송과 수신의 시분할 접속을 위한 스위치를 포함하고,
PCB 기판에 상기 스위치를 임베딩한 후, 스위치 하부에 저역통과필터를 임베딩하고, 저역통과필터 하부에 매칭회로를 임베딩하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 스위치, 저역통과필터 및 매칭회로는 그라운드면을 사용하여 RF 신호가 상호 분리되도록 하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 PCB 기판에 캐비티(cavity) 작업을 수행한 후, 상기 전력증폭단을 임베딩하는 것을 포함하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,
상기 전력증폭단의 하부에는 열배출을 위한 다수개의 비아 홀을 형성하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,
상기 스위치, 저역통과필터, 매칭회로 및 전력증폭단을 임베딩한 후, 라미네이션(lamination)하여 하나의 모듈로 형성하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,
상기 스위치는 단극쌍투(Single-Pole Double Through, SPDT) 스위치 또는 쌍극쌍투(Double-Pole Double Through, DPDT) 스위치 중 어느 하나인 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈
|
| 7 |
7
PCB 기판 내에 단극쌍투 또는 쌍극쌍투 스위치를 임베딩하는 단계,
상기 단극쌍투 또는 쌍극쌍투 스위치 하부에 저역통과필터를 임베딩하는 단계,
상기 저역통과필터 하부에 매칭회로를 임베딩하는 단계,
상기 PCB 기판에 캐비티(cavity) 작업을 수행하여 전력증폭단이 위치할 곳을 형성하는 단계 및
상기 형성된 위치에 전력증폭단을 임베딩한 후 라미네이션(lamination)하는 단계
를 포함하는 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈의 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 전력증폭단(PAM)의 하부에 열배출을 위한 다수의 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,
상기 단극쌍투 또는 쌍극쌍투 스위치, 저역통과필터 및 매칭회로는 그라운드(GND)면을 사용하여 RF 신호가 상호 분리되도록 형성하는 것인 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈의 제조방법
|
| 10 |
10
PCB 기판에 캐비티(cavity) 작업을 수행하여 전력증폭단(PAM)이 위치할 곳을 형성하는 단계,
상기 형성된 위치에 매칭회로를 포함한 전력증폭단을 임베딩한 후 전력증폭단의 하부에 열배출을 위한 다수개의 비아 홀을 형성하는 단계 및
상기 PCB 기판에 스위치를 임베딩하고, 상기 스위치 하부에 저역통과필터를 임베딩한 후, 라미네이션(lamination)하는 단계를 포함하는 근거리 통신용 프론트 엔드 모듈의 제조방법
|
