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기판상에 형성된 절연막;
상기 절연막상에 형성되어 가스를 감지하는 환원된 금속 및 탄소나노튜브를 포함하는 환원된 금속 감지체; 및
상기 환원된 금속 감지체와 접촉하도록 상기 절연막상에 형성된 소스전극 및 드레인 전극;을 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서,
상기 기판은 실리콘 기판이고,
상기 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항에 있어서,
상기 환원된 금속은 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 및 루비듐(Rb) 중 적어도 어느 하나가 환원된 것인 것을 특징으로 하는 가스센서
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4
제1항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극의 두께는 20 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 간격은 10㎛인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제1항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극은,
금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 및 백금(Pt) 중 적어도 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서
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7
제 1항에 있어서,
상기 가스는 암모니아 또는 일산화탄소인 것을 특징으로 하는 가스센서
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항의 가스센서를 인터디지트(interdigited) 어레이 형태로 포함하는 가스센서 어레이
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기판 상에 절연막을 형성하는 단계;
상기 절연막상에 환원된 금속 및 탄소나노튜브를 포함하는 환원된 금속 감지체를 형성하는 단계;
상기 환원된 금속 감지체와 접촉하도록 상기 절연막상에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
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제 9항에 있어서,
상기 환원된 금속 감지체는 팔라듐염 및 탄소나노튜브를 혼합하고, 이를 환원시켜 형성된 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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제 9항에 있어서,
상기 환원된 금속 감지체를 형성하는 단계는 솔루션 드롭캐스팅(solution drop casting) 공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 가스센서의 제조방법
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