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기판 상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서,상기 게이트 절연막을 자기조립단막층으로 표면처리하되, 채널영역에서는 상기 표면처리된 자기조립단막층을 제거시킨 뒤, 상기 자기조립단막층이 제거된 채널영역에 용액공정으로 단결정 유기 반도체를 형성시킨 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 전극은 금속, 금속 산화물, 전도성 고분자 또는 탄소나노튜브 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 절연막은 산화막, 유기물 또는 산화막과 유기물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 금속, 금속 산화물, 전도성 고분자 또는 탄소나노튜브 중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 펜타센(Pentacene)계열, 폴리싸이오펜(Polythiophene)계열 또는 테트라센(Tetracene)계열 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 절연막의 표면 처리용 자기조립단막층은 -OH, -NH3, -COOH 등으로 기능화된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 싸이올(Thiol)기를 가진 재료로 표면처리된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 유기 반도체층 형성에 사용되는 잉크는 잉크젯 프린팅, 딥 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 오프셋, 마이크로 컨택 프린팅, 리버스 오프셋 또는 그라비어 등의 용액 공정중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 유기 반도체층 형성에 사용되는 잉크를 구성하는 물질로 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로포름(chloroform), 헥산(Hexane), 다이클로로벤젠(Di-Chlorobenzene), 도데칸(Dodecane) 및 애니솔(Anisole) 등의 유기 용매중에서 선택된 어느 하나이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막을 자기조립단막층으로 표면 처리하는 단계;상기 자기조립단막층을 트랜지스터 채널 영역에서 제거하는 단계; 및상기 자기조립단막층이 제거된 채널 영역에 용액공정을 사용하여 단결정 유기 반도체를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 게이트 절연막을 자기조립단막층으로 표면 처리하기 전에 상기 소스 및 드레인 전극을 표면 처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 유기 반도체 물질은 펜타센(Pentacene)계열, 폴리싸이오펜(Polythiophene)계열 또는 테트라센(Tetracene)계열 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 게이트 절연막의 표면 처리용 자기조립단막층은 -OH, -NH3, -COOH 등으로 기능화된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극은 싸이올(Thiol)기를 가진 재료로 표면처리된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 유기 반도체층 형성에 사용되는 잉크는 잉크젯 프린팅, 딥 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 오프셋, 마이크로 컨택 프린팅, 리버스 오프셋 또는 그라비어 등의 용액공정 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 유기 반도체층 형성에 사용되는 잉크를 구성하는 물질로 클로로벤젠(Chlorobenzene), 클로로포름(chloroform), 헥산(Hexane), 다이클로로벤젠(Di-Chlorobenzene), 도데칸(Dodecane) 및 애니솔(Anisole) 등의 유기 용매중에서 선택된 어느 하나이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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