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a) 연성 고분자 기판 위에 연성 재질의 하부 전극이 형성되고, 상기 기판과 하부 전극의 상부에 유기물질의 절연막이 도포되는 단계; b) a) 단계가 완료되면, 상기 하부 전극과 대응되는 위치의 절연막의 상부에 알루미늄(Al), Au, Si3N4 또는 SiO2와 같은 물질의 마스크가 도포되는 단계; c) 상기 b) 단계를 통해 마스크가 도포되면, 건식 식각을 이용하여 절연막을 패터닝(patterning)하는 단계; 및 d) 상기 c) 단계를 통해 절연막 패터닝이 완료되면, 상기 하부 전극의 일부 영역에 상부 전극이 형성되는 단계 를 포함하는 박막 다이오드의 제조 방법
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a) 고분자 연성 기판 위에 연성 재질의 하부 전극이 형성되고, 상기 하부 전극의 상부에 알루미늄(Al) 또는 금(Au) 재질의 제1 마스크를 도포한 후, 상기 제1 마스크와 기판의 상부에 유기물질의 절연막을 도포하는 단계; b) 상기 a) 단계가 완료되면, 상기 절연막의 상부에 제1 마스크와 동일한 두께와 동일한 재질로 제1 마스크와 대응되는 위치에 제2 마스크를 도포하는 단계; c) 상기 c) 단계에서 제2 마스크가 도포되면 건식 식각을 이용하여 절연막을 패터닝(patterning)하는 단계; 및 d) 상기 c) 단계를 통해 절연막 패터닝이 완료되면, 상기 하부 전극의 일부 영역에 상부 전극이 형성되는 단계 를 포함하는 박막 다이오드의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계 및 d) 단계에서 형성되는 하부 전극과 상부 전극은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 투명전도막 또는 투명도전성 소재와 같은 연성 재질을 사용하는 박막 다이오드의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계 및 d) 단계에서 하부 전극과 상부 전극을 형성하는 단계는, 건식 박막 증착 및 뒤이은 사진 식각 공정으로 형성되는 박막 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계 및 d) 단계에서 하부 전극과 상부 전극을 형성하는 단계는, 사진 식각 공정으로 형성되는 박막 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계 및 d) 단계에서 하부 전극과 상부 전극을 형성하는 단계에서 사진 식각 공정만을 이용할 경우에 나노 금속입자와 감광제를 혼합하여 사용하는 박막 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계에서 형성되는 절연막은 PVP(PolyVinylphenole), PVP 도핑(doped)된 폴리마이드(polymide), PMMA(Polymethylmethacrylate)와 같은 유기물질을 사용하는 박막 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 c) 단계에서 상기 절연막의 패터닝시 건식 식각은 반응성 이온 식각을 사용하는 박막 다이오드의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 a) 단계에서 상기 절연막을 도포하는 방법은 스핀 코팅(spin coating), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯(ink jet) 분사 방법을 이용하는 박막 다이오드의 제조 방법
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연성 고분자 기판 위에 일정한 두께로 형성되는 연성 재질의 하부 전극; 상기 하부 전극의 상부면을 따라 유기물질로 형성되는 절연막; 상기 절연막의 상부면을 따라 상기 절연막의 패터닝(patterning)을 위해 도포되는 알루미늄(Al), Au, Si3N4 또는 SiO2로 이루어진 마스크; 상기 마스크의 상부에 기판의 상부면 일부와 상기 하부 전극, 절연막, 및 마스크를 감싸도록 형성되는 상부 전극 을 포함하는 박막 다이오드
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연성 고분자 기판 위에 일정한 두께로 형성되는 연성 재질의 하부 전극; 상기 하부전극의 상부면을 따라 형성되는 알루미늄 또는 Au 재질의 제1 마스크; 상기 제1 마스크의 상부면을 따라 유기물질로 형성되는 절연막; 상기 절연막 상부면을 따라 상기 절연막의 패터닝(patterning)을 위해 상기 제1 마스크와 동일한 두께로 도포되는 알루미늄 또는 Au 재질의 제2 마스크; 상기 제2 마스크의 상부에 기판의 상부면 일부와 상기 하부 전극, 제1 마스크, 절연막, 및 제2 마스크를 감싸도록 형성되는 상부 전극 을 포함하는 박막 다이오드
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제 13 항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상부 전극의 재질은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 투명전도막 또는 투명도전성 소재와 같은 연성 재질을 사용하는 박막 다이오드
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제 13 항에 있어서, 상기 하부 전극 및 상부 전극의 재질은, 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 구리(Cu), 투명전도막 또는 투명도전성 소재와 같은 연성 재질을 사용하는 박막 다이오드
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