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전처리된 기판의 물질과 반응하는 탄소나노튜브 코팅액을 사용하여 탄소나노튜브 전도막을 형성하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브 전도성 필름

  • 기술번호 : KST2015145805
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 전처리 방법 및 전처리된 기판과 반응하는 조성을 가지는 탄소나노튜브 코팅액을 사용한 탄소나노튜브 전도막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일양태에 따르면, 기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법이 제공되고, 이 방법은, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 전처리 용액을 코팅하여 전처리된 기판을 형성하는 단계; 및 상기 전처리된 기판과 물리 및 화학적으로 반응하는 탄소나노튜브 코팅 용액을 상기 전처리된 기판 위에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 기판에 전처리된 코팅 물질과, 전처리 코팅 물질과 물리/화학적으로 반응할 수 있는 조성을 가지는 탄소나노튜브 코팅액을 사용하여 기판 상에 탄소나노튜브를 코팅함으로써 코팅액 자체에 포함되는 분산제 및 첨가제 양을 최소화할 수 있고 높은 전도성을 가지면서 동시에 탄소나노튜브가 균일하게 분산된 탄소나노튜브 전도막 필름이 얻어질 수 있다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01)H01B 5/14(2013.01)H01B 5/14(2013.01)H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100138054 (2010.12.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0076069 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신권우 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0872940-94
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0002187-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006733-48
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0309697-58
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0569216-06
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0606345-90
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0695634-44
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0800043-13
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0882056-06
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0904372-24
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0904435-13
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0133307-97
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0117249-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0289315-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계;상기 기판 위에 전처리 용액을 코팅하여 전처리된 기판을 형성하는 단계;상기 전처리된 기판과 물리 및 화학적으로 반응하는 탄소나노튜브 코팅 용액을 상기 전처리된 기판 위에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판의 전처리 용액은 -NH2 또는 -NH의 염기성을 띄면서 양전하를 가지는 작용기를 포함한 고분자 및 올리고머 물질을 포함하고,상기 탄소나노튜브 코팅 용액은 카로복시기(-COOH) 또는 술폰기(-SO3H)를 포함하는 고분자 및 올리고머 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 탄소나노튜브의 코팅 용액에 포함된 카로복시기(-COOH) 또는 술폰기(-SO3H)는 상기 전처리 용액에 포함된 -NH2 또는 -NH의 작용기와 함께 산염기 반응, 공유결합 형성, 정전기적 인력을 형성하여 탄소나노튜브 전도막의 접착성이 향상되는 것을 특징으로 하는 기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
4 4
제2항에 있어서,상기 기판의 전처리 용액에 포함되는 고분자 및 올리고머 물질은,폴리(디아릴디메틸암모늄클로라이드)(poly(diallydimethylammonium chloride)), 폴리(아일아민 하이트로클로라이드)(poly(allyamine hydrochloride)), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene:(PEDOT)),폴리(2-비닐피리딘)(poly(2-vinylpyridine)),폴리(에틸렌이민)(poly(ethyleneimine)),폴리(아크릴아미드-코-디아릴메틸암모니움 클로라이드)(poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride)), 양이온성 폴리티오펜(cationic polythiophene), 폴리 아닐린(polyaniline)중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 위에 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
5 5
제2항에 있어서,상기 탄소나노튜브 코팅 용액에 포함되는 고분자 및 올리고머 물질은, 폴리(아크릴 애시드)(poly(acrylic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(스티렌 설포닉 애시드)(poly(styrene sulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리아믹 애시드(polyamic acid) 및 그의 염(salt), 폴리(스티렌-알트-말레닉 애시드) (poly(styrene-alt-maleic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(메타크릴 애시드) (poly(methacrylic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(비닐설포닉 애시드) (poly(vinylsulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(아네톨설포닉 애시드) (poly(anetholesulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(4-스티렌설포닉 애시드-코-말레닉 애시드)(poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid)) 및 그의 염(salt), 도데실벤젠설포닉애씨드(Dodecylbenzene Sulfonic Acid) 및 그의 염 중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
6 6
제2항에 있어서,상기 기판의 전처리 용액에 포함되는 고분자 및 올리고머 물질은 용액내 0
7 7
제2항에 있어서,상기 탄소나노튜브 코팅액은 스프레이 코팅, 바코팅, 롤 코팅, 그라비아 코팅, 딥 코팅, 솔루션캐스팅 코팅 중 어느 하나에 의해 상기 전처리된 기판에 코팅되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
8 8
제2항에 있어서,상기 기판의 전처리 단계는 기판상에 상기 전처리 용액에서 사용된 물질 이외의 다른 물질을 코팅하여 다층 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,이때, 상기 전처리 용액에 사용된 -NH2 또는 -NH 및 이들의 이온염(ionic salt)을 포함하는 물질이 상기 다층 코팅층의 최상층에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도막을 형성하기 위한 방법
9 9
탄소나노튜브 전도막이 형성된 탄소나노튜브 전도성 필름에 있어서,-NH2 또는 -NH의 염기성을 띄며 양전하를 가지는 작용기를 포함한 물질로 코팅된 전처리된 기판: 및상기 전처리된 기판 위에 형성된 탄소나노튜브 전도막을 포함하고,상기 탄소나노튜브 전도막의 형성시 탄소나노튜브 코팅액에 포함된 카로복시기(-COOH) 또는 술폰기(-SO3H) 작용기와 상기 전처리된 기판에 포함된 -NH2 또는 -NH의 작용기가 물리 및 화학적으로 상호작용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도막이 형성된 탄소나노튜브 전도성 필름
10 10
제9항에 있어서,상기 전처리된 기판은 다층의 코팅층을 포함하고,상기 -NH2 또는 -NH의 작용기를 포함하는 물질층은 다층 코팅층 상의 최상부에 위치된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도막이 형성된 탄소나노튜브 전도성 필름
11 11
기판의 표면을 코팅처리하기 위한 기판 전처리 용액에 있어서,상기 기판의 전처리 용액은, -NH2 또는 -NH의 염기성을 띄면서 양전하를 가지는 작용기를 포함한 고분자 및 올리고머 물질;고분자 주사슬 또는 곁가지에 -NH2, -NH 작용기가 포함된 물질;-NH2, -NH이 용매상에서 이온화하여 형성된 폴리이온(polyion) 또는 이온(ion); 폴리이온염(polyion salt) 및 염(salt) 중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 표면을 코팅처리하기 위한 기판 전처리 용액
12 12
제11항에 있어서,상기 기판의 전처리 용액에 포함되는 고분자 및 올리고머 물질은, 폴리(디아릴디메틸암모늄클로라이드)(poly(diallydimethylammonium chloride)), 폴리(아일아민 하이트로클로라이드)(poly(allyamine hydrochloride)), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (poly(3,4-ethylenedioxythiophene:(PEDOT)),폴리(2-비닐피리딘)(poly(2-vinylpyridine)),폴리(에틸렌이민)(poly(ethyleneimine)),폴리(아크릴아미드-코-디아릴메틸암모니움 클로라이드)(poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride)), 양이온성 폴리티오펜(cationic polythiophene), 폴리 아닐린(polyaniline)중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 표면을 코팅처리하기 위한 기판 전처리 용액
13 13
기판 상에 탄소나노튜브를 코팅하기 위한 탄소나노튜브 코팅액에 있어서,탄소나노튜브 코팅액은, 카로복시기(-COOH) 또는 술폰기(-SO3H)를 포함하는 고분자 및 올리고머 물질, 상기 카로복시기(-COOH) 또는 술폰기(-SO3H) 작용기가 부분적으로 이온화되어 형성된 폴리이온(polyion) 또는 이온(ion) 및 폴리이온 염(polyion salt), 염(salt);중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 탄소나노튜브를 코팅하기 위한 탄소나노튜브 코팅액
14 14
제13항에 있어서,상기 탄소나노튜브 코팅액에 포함되는 고분자 및 올리고머 물질은, 폴리(아크릴 애시드)(poly(acrylic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(스티렌 설포닉 애시드)(poly(styrene sulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리아믹 애시드(polyamic acid) 및 그의 염(salt), 폴리(스티렌-알트-말레닉 애시드) (poly(styrene-alt-maleic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(메타크릴 애시드) (poly(methacrylic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(비닐설포닉 애시드) (poly(vinylsulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(아네톨설포닉 애시드) (poly(anetholesulfonic acid)) 및 그의 염(salt), 폴리(4-스티렌설포닉 애시드-코-말레닉 애시드)(poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid)) 및 그의 염(salt), 도데실벤젠설포닉애씨드(Dodecylbenzene Sulfonic Acid) 및 그의 염 중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는기판 상에 탄소나노튜브를 코팅하기 위한 탄소나노튜브 코팅액
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1 지식경제부 전자부품연구원 정보통신 산업원천기술개발사업 차세대 Input Device 기술개발