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베이스 기판 위에 폴리이미드 전구체를 코팅하여 폴리이미드 전구체층을 형성하는 베이스 코팅 단계;상기 폴리이미드 전구체층 위에 탄소나노튜브 용액을 코팅하여 탄소나노튜브 층을 형성하는 탄소나노튜브 코팅 단계;상기 베이스 기판 위에 형성된 폴리이미드 전구체층과 상기 탄소나노튜브 층을 경화하여 폴리이미드 층과 탄소나노튜브 전도층을 형성하는 경화 단계;상기 탄소나노튜브 전도층 위에 고분자 물질을 코팅하여 고분자 물질층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 고분자 물질은, 폴리페닐렌 술폰(polyphenylene sulfone), 폴리에테르 이미드(PEI), 폴리카보네이트(PC), 폴리페닐 옥사이드(PPO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 아크릴로니트릴-부타디엔-스타이렌(ABS), 폴리스타이렌(PS), 폴리비닐 클로라이드(PVC), 폴리테트라 플루오로 에틸렌(PTFE), 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF)로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 코팅 단계에서,상기 폴리이미드 전구체는 polyamic acid인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 코팅 단계에서,상기 폴리이미드 전구체층은 상기 베이스 기판 위에 1nm 내지 1mm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 코팅 단계에서,상기 폴리이미드 전구체층은 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 드롭핑(dropping), 스프레이 코팅(spray coating), 솔루션 케스팅(solution casting), 롤 코팅(roll coating), 그라비아 코팅(gravure coating) 중에 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 코팅 단계에서,상기 베이스 기판은 피라나 용액처리, 산처리, 염기처리, 플라즈마 처리, 상압플라즈마처리, 오존처리, UV처리, self assembled monolayer 처리, 고분자물질의 베이스코팅 중에 적어도 하나의 방법으로 표면처리된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 유리, 석영(quartz), 글라스 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 투명 플라스틱 기판, 불투명 플라스틱 기판, 투명 고분자 필름, 불투명 고분자 필름 중에 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 코팅 단계에서,상기 탄소나노튜브 용액은 단일벽 탄소나노튜브, 기능화된 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 기능화된 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브 및 기능화된 다중벽 탄소나노튜브 중에 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 코팅 단계에서,상기 탄소나노튜브 층은 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 드롭핑(dropping), 스프레이 코팅(spray coating), 솔루션 케스팅(solution casting), 롤 코팅(roll coating), 그라비아 코팅(gravure coating) 중에 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 경화 단계는,80℃ 내지 300℃에서 열처리하거나 자외선 처리하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 코팅 단계와 상기 탄소나노튜브 코팅 단계를 반복적으로 진행하여 폴리이미드 전구체층과 탄소나노튜브 층을 교대로 복수층을 형성한 이후에 상기 경화 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전도층을 갖는 기판 제조 방법
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