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엔-타입(n-type) 또는 피-타입(p-type) 중 어느 한 가지 타입으로 이루어진 직렬 연결된 2개의 TFT 소자들을 포함하고, 상기 2개의 TFT 소자들 중 어느 하나의 소자는 드라이버(driver) 트랜지스터로, 나머지 하나의 소자는 부하(load) 트랜지스터로 역할하는 인버터 소자에 있어서,상기 드라이버 트랜지스터와 상기 부하 트랜지스터가 하나의 게이트 절연막을 공유하되,상기 드라이버 트랜지스터를 구성하는 반도체 층과 게이트 전극 사이에 형성된 상기 게이트 절연막의 두께와 상기 부하 트랜지스터를 구성하는 반도체 층과 게이트 전극 사이에 형성된 상기 게이트 절연막의 두께는 서로 다른 것을 특징으로 하는 인버터 소자
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제1항에 있어서, 상기 드라이버 트랜지스터와 상기 부하 트랜지스터 각각은,상기 게이트 전극이 상기 반도체 층의 하위층에 존재하는 하부 게이트 구조 또는 상기 게이트 전극이 상기 반도체 층의 상위층에 존재하는 상부 게이트 구조인 것을 특징으로 하는 인버터 소자
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제2항에 있어서,상기 하부 게이트 구조의 드라이버 트랜지스터는,기판상에 형성된 드라이버측 게이트 전극;상기 드라이버측 게이트 전극 상에 제1 두께로 형성된 게이트 절연막; 상기 제1 두께로 형성된 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 드라이버측 게이트 전극 상에 형성된 드라이버측 반도체층; 및상기 드라이버측 반도체층 상에 소정 간격으로 이격되어 형성된 드라이버측 소스 및 드레인 전극을 포함하고,상기 하부 게이트 구조의 부하 트랜지스터는,상기 기판상에 형성된 부하측 게이트 전극;상기 부하측 게이트 전극 상에 상기 제1 두께와 다른 제2 두께로 형성된 상기 게이트 절연막;상기 제2 두께로 형성된 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 부하측 게이트 전극 상에 형성된 부하측 반도체층; 및상기 부하측 반도체층 상에 부하측 소스 및 드레인 전극을 포함하고,
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제2항에 있어서, 상기 상부 게이트 구조의 드라이버 트랜지스터는,기판상에 형성된 드라이버측 소스 및 드레인 전극;상기 드라이버측 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 드라이버측 반도체층;상기 드라이버측 반도체층 상에 제1 두께로 형성된 게이트 절연막; 및상기 제1 두께로 형성된 게이트 절연막을 사이에 두고, 상기 반도체 층 상에 형성된 드라이버 측 게이트 전극을 포함하고, 상기 상부 게이트 구조의 부하 트랜지스터는,상기 기판상에 형성된 부하측 소스 및 드레인 전극;상기 부하측 소스 및 드레인 전극 상에 증착된 부하측 반도체층;상기 부하측 반도체층 상에 상기 제1 두께와 다른 제2 두께로 형성된 게이트 절연막; 및 상기 제2 두께로 형성된 게이트 절연막을 사이에 두고, 상기 반도체 층 상에 형성된 부하측 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터 소자
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기판상에 상부 게이트 구조의 드라이버 TFT의 소스 및 드레인 전극과 상부 게이트 구조의 부하 TFT의 소스 및 드레인 전극을 증착 및 패터닝하는 단계;상기 드라이버 TFT 소자의 소스 및 드레인 전극 상에 채널층인 반도체층을 증착 및 패터닝하고, 상기 부하 TFT 소자의 소스 및 드레인 전극 상에 채널층인 반도체층을 증착 패터닝하는 단계;상기 드라이버 TFT 소자의 반도체층 상에 제1 두께의 게이트 절연막을 증착하고, 상기 부하 TFT 소자의 반도체층 상에 상기 제1 두께와 다른 제2 두께의 게이트 절연막을 증착하되, 상기 제2 두께의 게이트 절연막은 식각 공정, 리프트 오프 공정 및 프린팅 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성하는 단계; 및상기 제1 두께의 게이트 절연막 상에 상기 드라이버 TFT의 게이트 전극을 증착 및 패터닝하고, 상기 제2 두께의 게이트 절연막 상에 상기 부하 TFT의 게이트 전극을 증착 및 패터닝 하는 단계를 포함하는 인버터 소자의 제조 방법
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기판상에 하부 게이트 구조의 드라이버 TFT의 게이트 전극과 하부 게이트 구조의 부하 TFT의 게이트 전극을 증착 및 패터닝하는 단계;상기 드라이버 TFT 소자의 게이트 전극 상에 제1 두께의 게이트 절연막을 증착 및 패터닝하고, 상기 부하 TFT 소자의 게이트 전극 상에 상기 제1 두께와 다른 제2 두께의 게이트 절연막을 증착 패터닝하되, 상기 제2 두께의 게이트 절연막은 상기 제2 두께의 게이트 절연막은 식각 공정, 리프트 오프 공정 및 프린팅 공정 중 어느 하나의 공정으로 형성하는 단계;상기 제1 두께의 게이트 절연막 상에 상기 드라이버 TFT 소자의 채널층인 반도체층을 증착하고, 상기 제2 두께의 게이트 절연막 상에 상기 부하 TFT 소자의 채널층인 반도체층을 증착하는 단계; 및상기 드라이버 TFT 소자의 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 증착 및 패터닝하고, 상기 부하 TFT 소자의 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 증착 및 패터닝하는 단계를 포함하는 인버터 소자의 제조 방법
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