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유기용매용 반응성 은 전구체 및 도전성 재료를 포함하는 도전성 재료 혼합물;열경화성 수지; 및 첨가제를 포함하고, 상기 유기용매용 반응성 은 전구체는 양이온과 음이온이 결합되는 염(salt) 형태로 이루어지는 것으로, 하기 화학식 1에 해당하는 도전성 페이스트 조성물
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청구항 1에 있어서, 상기 도전성 재료는, 1 내지 20㎛의 입자 크기를 갖는 플레이크형 은 분말;1 내지 10㎛의 입자 크기를 갖는 구형의 은 분말; 및1 내지 100nm의 입자 크기를 갖는 은 나노 입자를 포함하는 도전성 페이스트 조성물
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청구항 2에 있어서, 상기 도전성 재료는 1 내지 10㎛의 입자 크기를 갖는 것으로, 표면에 은이 코팅된 구리 분말을 더 포함하는 도전성 페이스트 조성물
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 에폭시기를 두개 이상 가지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AD형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 아민형 에폭시 수지, 나프탈렌 기반 에폭시 수지, 네오펜틸글리콜형 에폭시 수지, 헥산디넬글리콜형 에폭시 수지, 레졸신형 에폭시 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 도전성 페이스트 조성물
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 첨가제는 열경화성 수지 경화제를 더 포함하고, 상기 열경화성 수지 경화제는 4,4'-디아미노디페닐 술폰(diaminodiphenyl sulfone), 헥사하이드로-4-메틸프탈릭 안하이드라이드(hexahydro-4-methylphthalic anhydride) 및 메틸 사이클로헥센-1,2-디카르복실 안하이드라이드(methyl cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride) 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 도전성 페이스트 조성물
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청구항 5에 있어서, 상기 첨가제는 경화조제를 더 포함하고, 상기 경화조제는 N,N'-디메틸벤질아민(N,N'-dimethyl benzylamine), 2-에틸-4-메틸-이미다졸 (2-ethyl-4-methyl imidazole) 및 트리페닐포스핀(triphenylphosphine)로 부터 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 도전성 페이스트 조성물
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 도전성 페이스트 조성물 제조방법에 있어서, 상기 도전성 페이스트 조성물 제조방법은 유기용매용 반응성 은 전구체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 유기용매용 반응성 은 전구체를 제공하는 단계는, 암모니아수에 실버아세테이트 및 포름산을 혼합하고 교반 및 여과하여 [Ag(NH3)2]+[C2H3O2]- 수용액을 수득하는 1단계; 및상기 수용액에 [X]-을 포함하는 염(salt)을 첨가 및 교반하여 상기 수용액의 음이온을 상기 [X]-로 이온교환하는 2단계를 포함하고, 상기 [X]-는 퍼플루오로헥사노에이트, 퍼플루오로옥타노에이트, 퍼플루오로노나노에이트, 퍼플루오로데카노에이트, 퍼플로오로운데카노에이트 및 퍼플루오로헥사데카노에이트의 음이온; 헥사노에이트, 옥타노에이트, 데키노에이트, 도데카노에이트, 미리스테이트, 팔미테이트, 스테아레이트, 올리에이트의 음이온; 그리고 티오시아네이트, 퍼클로레이트, 아이오다이드, 헥사플루오로포스페이트, 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(트리플루오로메틸설포닐)아미드 및 비스(트리플루오로메탄)설폰이미드의 음이온으로 이루어진 군에서 선택되는 도전성 페이스트 조성물 제조방법
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청구항 7에 있어서, 상기 유기용매용 반응성 은 전구체를 제공하는 단계 이후에,상기 유기용매용 반응성 은 전구체 및 도전성 재료로 이루어진 도전성 재료 혼합물과, 열경화성 수지를 제공하는 단계;열경화성 수지 경화제 및 경화조제를 포함하는 첨가제를 상기 도전성 재료 혼합물과 열경화성 수지에 혼합시키는 단계를 더 포함하는 도전성 페이스트 조성물 제조방법
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