| 1 |
1
구리 입자 표면의 일부 또는 전부가 은으로 피복되어 있는 구리계 입자; 및붕소 입자 표면의 일부 또는 전부가 산화 붕소로 피복되어 있는 붕소계 입자를 포함하고,상기 붕소계 입자는 전도성 페이스트 조성물 전체 함량에 대하여 1 중량% 초과 내지 10 중량% 미만으로 포함되는 것인 전도성 페이스트 조성물
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 구리계 입자의 은 원자 함량은 구리계 입자 전체 함량에 대하여 1 중량% 내지 16 중량%인 전도성 페이스트 조성물
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 구리계 입자의 평균 입경(D50)이 1 ㎛ 내지 10 ㎛인 전도성 페이스트 조성물
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 붕소계 입자의 비표면적이 11
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 붕소계 입자의 평균 입경이 2 ㎛ 이하인 전도성 페이스트 조성물
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 붕소계 입자의 산소 원자 함량은 붕소계 입자 전체 함량에 대하여 2 중량% 내지 15 중량%인 전도성 페이스트 조성물
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 전도성 페이스트 조성물은 바인더를 포함하는 것인 전도성 페이스트 조성물
|
| 8 |
8
i) 붕소 분말을 건식 파쇄하여 붕소 입자 표면의 일부 또는 전부가 산화 붕소로 피복되어 있는 붕소계 입자를 제조하는 단계(S10); 및ii) 상기 (S10) 단계에서 제조된 붕소계 입자 및 구리 입자 표면의 일부 또는 전부가 은으로 피복되어 있는 구리계 입자를 혼합하여 전도성 페이스트 조성물을 제조하는 단계(S20)를 포함하고,상기 (S10) 단계의 건식 파쇄는 30분 초과 내지 10 시간 이하로 실시되며,상기 (S20) 단계에서 상기 붕소계 입자는 상기 전도성 페이스트 조성물 전체 함량에 대하여 1 중량% 초과 내지 10 중량% 미만으로 포함되는 것인 전도성 페이스트 조성물 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 (S10) 단계의 건식 파쇄는 25 ℃ 내지 70 ℃에서 실시되는 것인 전도성 페이스트 조성물 제조방법
|
| 10 |
10
구리, 은, B2O3 및 BCO2를 포함하고,온도 85 ℃ 및 상대 습도 85%에서 500 시간 경과 후, △비저항치 지수(비저항치 변화량 지수 = 500 시간 경과 후 비저항치 / 최초 비저항치)가 1
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 전극에 포함되는 전도성 금속 성분 전체 함량에 대하여, 구리의 함량은 50 중량% 내지 99 중량%이고, 은의 함량은 1 중량% 내지 50 중량%인 전극
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 전극은 최초 비저항치가 1
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 B2O3 및 BCO2는 전극 전체 함량에 대하여 20 중량% 이하로 포함되는 것인 전극
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 전극은 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 전도성 페이스트 조성물로부터 형성된 것인 전극
|
| 15 |
15
제10항에 있어서,상기 전극은 디지타이저(digitizer), 연성 회로 기판(Flexible printed circuit board, FPCB), 저온 소성 세라믹(Low temperature co-fired ceramics, LTCC), 적층 세라믹 콘덴서(Multilayer ceramic condenser, MLCC) 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택된 장치의 전극인 전극
|
| 16 |
16
제10항에 있어서,상기 전극은 태양 전지의 전면 전극인 전극
|
