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연성 고분자 기반 기판에 형성되는 박막 다이오드 소자에 있어서, 상기 연성 고분자 기반 기판의 양면에 재질이 SiO2, Al2O3, MgO, TiO2 중의 어느 하나로 이루어진 응력 완충층이 일차적으로 형성되고, 그 위에 하부 전극 박막층, 절연 박막층, 상부 전극 박막층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자
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제 1항에 있어서, 상기 하부 전극용 박막과 상부 전극용 박막의 재질은 Ta, Ti, Cr, Al, Au, Ag, Ni, Cu, ITO 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자
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제 1항에 있어서, 상기 절연 박막층의 재질은 Ta2O5, SiO2, Si3N4 중의 어느 하나인 무기물과 폴리마이드와 같은 유기물 중의 어느 하나가 단독으로 사용되거나 또는 상기 무기물 재질과 유기물 재질의 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자
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연성 고분자 기반 기판의 양쪽 면에 재질이 SiO2, Al2O3, MgO, TiO2 중의 어느 하나로 이루어진 응력 완충층을 형성하는 단계; 하부 전극용 박막층을 형성하고 패터닝하는 단계; 절연 박막층을 형성하고 패터닝하는 단계; 및 상부 전극용 박막층을 형성하고 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 하부 전극과 상부 전극용 박막층을 형성하고 패터닝하는 단계는 스퍼터링(sputtering)과 증착(evaporation) 중의 어느 하나를 사용하는 건식박막증착 후 사진식각공정을 하는 방법과 1㎚ 내지 100㎚ 크기의 금속입자를 감광제와 섞여서 사용하는 사진식각공정 방법 중의 어느 하나의 방법이 사용되어 제조되는 것을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자의 제조 방법
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제 4항에 있어서, 상기 절연 박막층을 형성하고 패터닝하는 단계는 사진식각공정 후 양극산화 공정을 행하는 방법과 스퍼터링(sputtering)과 증착(evaporation) 중의 어느 하나를 사용하는 건식박막증착법 및 반응성 이온 식각법을 포함하는 건식 식각법 또는 리프트 오프 공정 중의 어느 하나의 방법이 사용되어 제조되는 것을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자의 제조 방법
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제 6항에 있어서, 리프트 오프 공정이 사용될 경우 박막 증착 이전에 사진식각공정으로 패터닝을 미리 준비하는 것을 특징으로 하는 연성 고분자 기반 기판 위에 형성된 박막 다이오드 소자의 제조 방법
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