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양자채널이 형성된 모스펫을 이용한 포토디텍터 및 그제조방법

기술번호 : KST2015146220
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 양자채널이 형성된 MOSFET(Metal-oxide-semiconductor field effect transistor, 이하 MOSFET)을 이용한 포토디텍터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 활성화된 SOI(Silicon On Insulator, 이하 SOI) 웨이퍼(1)부; 상기 활성화된 SOI 웨이퍼부 중앙에 형성된 양자채널(2); 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막(3); 상기 양자채널에서의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트(4); 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스(5)와 드레인(6); 및 상기 게이트와 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층(7)을 포함하여 이루어진 포토디텍터로서, 빛에 의한 전자의 이동이 양자 채널을 통하여 이루어지도록 SOI 웨이퍼(1) 상에 Si 활성영역이 형성되는 단계; 상기 활성영역에 양자채널(2)이 형성되는 단계; 상기 양자채널이 형성된 SOI 웨이퍼에 게이트 산화막(3)이 형성되는 단계; 상기의 게이트 산화막 위에 리소그래피를 이용하여 게이트(4)가 형성되는 단계; 상기 양자채널 양끝에 소오스(5)와 드레인(6)이 형성되는 단계; 및 상기의 게이트와 소오스 및 드레인에 접합부가 형성되어 금속층(7)을 형성하는 단계를 포함하여 제조됨에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 초기 암전류가 높고 감도가 떨어져서 포토디텍터로는 거의 상용화되지 못하고 있는 SOI MOSFET 구조를 기본으로 하고는 있지만, 이 SOI MOSFET에 양자채널을 형성함으로써 기존의 SOI MOSFET 소자에 비하여 우수한 광전류 특성을 얻을 수가 있다. 따라서 본 발명에 의한 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터는 집적화가 용이하고 속도가 빠른 MOSFET의 장점을 그대로 살리면서도 포토디텍터로 이용될 수 있다는 장점이 있다. SOI, MOSFET, 포토디텍터, 양자채널
Int. CL	H01L 29/78 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020020065314 (2002.10.24)
출원인	전자부품연구원
등록번호/일자	10-0499956-0000 (2005.06.28)
공개번호/일자	10-2004-0036339 (2004.04.30) 문서열기
공고번호/일자	(20050705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.10.24)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자기술연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최홍구	대한민국	경기도성남시분당구
2	김훈	대한민국	서울특별시강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서천석	대한민국	서울특별시 서초구 서초중앙로길 , *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	전자부품연구원	대한민국	경기도 성남시 분당구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2002-0350337-07
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.08.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.09.17	수리 (Accepted)	9-1-2004-0056304-15
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.09.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0398244-88
5	의견서 Written Opinion	2004.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2004-0544308-02
6	명세서 등 보정서 Amendment to Description, etc.	2004.11.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0544306-11
7	등록결정서 Decision to grant	2005.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0135015-28
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2005.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2005-5036534-08
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 활성화된 SOI 웨이퍼부(1); 상기 활성화된 SOI 웨이퍼부 중앙에 형성된 양자채널(2); 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막(3); 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스(5)와 드레인(6); 및 상기 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층(7) 을 포함하여 이루어진 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
2	2 제 1항에 있어서, 상기 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막(3) 위에 양자채널에서의 캐리어의 흐름을 제어하기 위해 연결된 게이트(4)가 추가적으로 더 구비되고, 상기의 추가적으로 구비된 게이트(4)가 금속층(7)에 연결된 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막은 SiO2를 포함한 산화물로 이루어져 있음을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
4	4 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 MOSFET은 N-P-N형 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
5	5 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 MOSFET은 P-N-P형 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
6	6 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기의 양자채널을 감싸고 있는 게이트 산화막의 두께는 1nm∼500nm 이내임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
7	7 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 채널 영역의 양끝에 형성된 소오스와 드레인 영역의 두께는 1000nm 이하임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
8	8 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층은 Al, Ti, W, In, Co, Au, Ni, Cr 중의 어느 하나를 포함하는 순수 금속임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
9	9 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인부와 연결된 금속층은 Al, Ti, W, In, Co, Au, Ni, Cr 중의 어느 하나를 포함하는 금속의 화합물임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터
10	10 SOI 웨이퍼(1) 상에 Si 활성영역이 형성되는 단계; 상기 활성영역 중앙부에 양자채널(2)이 형성되는 단계; 상기 양자채널이 형성된 SOI 웨이퍼에 게이트 산화막(3)이 형성되는 단계; 상기 양자채널 양끝에 소오스(5)와 드레인(6)이 형성되는 단계; 및 상기의 소오스 및 드레인에 접합부가 형성되어 금속층(7)을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 게이트 산화막(3) 위에 리소그래피를 이용하여 게이트(4)가 추가적으로 더 형성되고, 상기의 형성된 게이트(4)에 접합부가 형성되어 금속층(7)을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
12	12 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 활성영역이 형성되는 단계에서는 활성 영역 마스크와 포토리소그래피 공정 및 식각 공정이 이용됨을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
13	13 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 양자채널이 형성되는 단계에서는 포토마스크를 사용하여 식각하는 방법을 포함한 리소그래피 기술을 이용한 것을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
14	14 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 양자채널이 형성되는 단계에서 형성되는 양자채널의 개수는 적어도 하나 이상임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
15	15 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 양자채널이 형성되는 단계에서 형성되는 양자채널의 길이는 1nm∼1000nm 이내임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
16	16 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 양자채널이 형성되는 단계에서 형성되는 양자채널의 폭은 1nm∼20nm 이내임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법
17	16 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 상기 양자채널이 형성되는 단계에서 형성되는 양자채널의 폭은 1nm∼20nm 이내임을 특징으로 하는 양자채널이 형성된 MOSFET을 이용한 포토디텍터의 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20060001096	US	미국	FAMILY
2	WO2004038806	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	AU2003258839	AU	오스트레일리아	DOCDBFAMILY
2	AU2003258839	AU	오스트레일리아	DOCDBFAMILY
3	US2006001096	US	미국	DOCDBFAMILY
4	WO2004038806	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0499956-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20021024 출원 번호 : 1020020065314 공고 연월일 : 20050705 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050328 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 양자채널이 형성된 모스펫을 이용한 포토디텍터 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 전자부품연구원 경기도 성남시 분당구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	472,500 원	2005년 06월 29일	납입
제 4 년분	금 액	419,000 원	2008년 01월 02일	납입
제 5 년분	금 액	419,000 원	2008년 07월 16일	납입
제 6 년분	금 액	392,000 원	2010년 02월 01일	납입
제 7 년분	금 액	708,000 원	2011년 01월 11일	납입
제 8 년분	금 액	708,000 원	2012년 01월 16일	납입
제 9 년분	금 액	708,000 원	2013년 01월 11일	납입
제 10 년분	금 액	1,120,000 원	2013년 12월 31일	납입
제 11 년분	금 액	1,120,000 원	2015년 01월 09일	납입
제 12 년분	금 액	1,120,000 원	2015년 12월 24일	납입
제 13 년분	금 액	1,240,000 원	2017년 05월 12일	납입
제 14 년분	금 액	620,000 원	2018년 04월 06일	납입
제 15 년분	금 액	620,000 원	2019년 03월 13일	납입
제 16 년분	금 액	620,000 원	2020년 05월 04일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2002-0350337-07
2	선행기술조사의뢰서	2004.08.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.09.17	수리 (Accepted)	9-1-2004-0056304-15
4	의견제출통지서	2004.09.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0398244-88
5	의견서	2004.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2004-0544308-02
6	명세서 등 보정서	2004.11.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2004-0544306-11
7	등록결정서	2005.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0135015-28
8	출원인정보변경(경정)신고서	2005.04.15	수리 (Accepted)	4-1-2005-5036534-08
9	출원인정보변경(경정)신고서	2013.04.17	수리 (Accepted)	4-1-2013-0013766-37
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.08.24	수리 (Accepted)	4-1-2020-5189497-57

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