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플렉서블 기판 상부에 구동할 수 있는 전자 소자들이 형성되어 있는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치에 있어서, 상기 전자 소자들과 플렉서블 기판을 감싸서 형성되어 휘어짐에 따른 특성 저하를 방지할 수 있는 유기 보호막이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 1 항에 있어서, 상기 보호막의 영률은, 1GPa ~ 20GPa인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 보호막은 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(Polycarbonate)와 아크릴 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 보호막의 두께는, 40 ~ 100㎚인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 보호막은 자외선 레진(Resin)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 2 항에 있어서, 상기 전자소자는 TFT(Thin Film Transistor) 또는 유기전계 발광소자를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 6 항에 있어서, 상기 TFT는, 플렉서블 기판 일부 상부에 형성된 게이트와; 상기 플렉서블 기판 상부에 게이트를 감싸며 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상부에 상호 이격되어 형성된 소스 및 드레인과; 상기 소스와 드레인의 대향되는 측면을 감싸며 게이트 절연막 상부에 형성된 활성층과; 상기 활성층을 감싸며 소스와 드레인의 일부 상부에 형성된 패시베이션(Passivation)층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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제 6 항에 있어서, 상기 TFT는, 플렉서블 기판 일부 상부에 형성된 게이트와; 상기 플렉서블 기판 상부에 게이트를 감싸며 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상부에 상호 이격되어 형성된 소스 및 드레인과; 상기 소스와 드레인의 대향되는 측면을 감싸며 게이트 절연막 상부에 형성된 활성층과; 상기 활성층을 감싸며 소스와 드레인의 일부 상부에 형성된 패시베이션(Passivation)층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판을 갖는 전자장치
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