맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

마이크로 소자의 제조 방법 및 그를 성형하기 위한 금형의제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146382
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 소자의 제조 방법 및 그를 성형하기 위한 금형의 제조 방법에 관한 것으로, 복수의 로드들을 성형하기 위한 복수의 요홈들이 형성된 상금형과, 상기 복수의 로드들을 지지하기 위한 플레이트가 성형되는 안착 요홈이 형성된 하금형을 가압하는 단계와; 상기 하금형에 연결된 런너를 통하여 성형성을 갖도록 하기 위해 고분자물질과 혼합된 세라믹 재료를 주입하여 성형하는 단계와; 상기 성형된 고분자물질과 혼합된 세라믹을 상기 상, 하금형에서 이탈하는 단계와; 상기 이탈된 고분자물질이 혼합된 세라믹으로부터 고분자물질을 태우거나 녹여내서 제거하는 단계와; 상기 고분자 물질이 제거된 세라믹 성형체를 소결하는 단계와; 상기 소결된 세라믹 성형체의 복수 로드들 사이에 상기 복수 로드의 상부가 노출되도록 고분자를 충진하는 단계와; 상기 복수 로드의 하부가 노출되도록 상기 플레이트를 폴리싱하여 제거하는 단계로 구성함으로써, 마이크로 단위의 로드 어레이를 인젝션 몰드로 성형하여 대량생산을 할 수 있고, 다양한 형상을 제작하여 마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터와 마이크로 트랜스듀서 등의 마이크로 소자 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다.마이크로, 소자, 금형, 성형, 세라믹, PZT, 센서, 트랜스듀서, 엑츄에이터, 고분자
Int. CL B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010066985 (2001.10.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0407377-0000 (2003.11.17)
공개번호/일자 10-2003-0035089 (2003.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20031128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.10.30)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박준식 대한민국 경기도군포시
2 박순섭 대한민국 경기도평택시
3 정석원 대한민국 충청남도공주시
4 조진우 대한민국 경기도성남시분당구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박미숙 대한민국 경기도 남양주시 경춘로 ***(가운동, 브릭스타워)*층 ***호(해솔국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 올릭스 전북 전주시 덕진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0280143-36
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2002-0362028-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0036429-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0352007-73
6 의견서
Written Opinion		 2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0400721-78
7 등록결정서
Decision to grant		 2003.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0434181-00
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

복수의 로드들을 성형하기 위한 복수의 요홈들이 형성된 상금형과, 상기 복수의 로드들을 지지하기 위한 플레이트가 성형되는 안착 요홈이 형성된 하금형을 가압하는 단계와;

상기 하금형에 연결된 런너를 통하여 성형성을 갖도록 하기 위해 고분자물질과 혼합된 세라믹 재료를 주입하여 성형하는 단계와;

상기 성형된 고분자물질과 혼합된 세라믹 성형체를 상기 상, 하금형에서 이탈하는 단계와;

상기 이탈된 고분자물질이 혼합된 세라믹 성형체로부터 고분자물질을 태우거나 녹여내서 제거하는 단계와;

상기 고분자 물질이 제거된 세라믹 성형체를 소결하는 단계와;

상기 소결된 세라믹 성형체의 복수 로드들 사이에 상기 복수 로드의 상부가 노출되도록 고분자를 충진하는 단계와;

상기 복수 로드의 하부가 노출되도록 상기 플레이트를 폴리싱하여 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 세라믹 재료는 PZT(Pb(ZrxTi1-x)O3, PLZT((Pb,La)(ZrxTi1-x)O3)와 BST((Ba,Sr)TiO3) 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 충진되는 고분자는 에폭시 레진, 우레탄(Urethane) 고무와 실리콘 고무 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 성형되는 세라믹 로드의 높이는 300㎛ ~ 600㎛, 가로 세로의 크기는 100㎛ ~ 200㎛, 로드간 간격은 40㎛ ~ 100㎛인 사각기둥인 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 복수의 요홈은 사각기둥, 원기둥, 원뿔대와 다각기둥 중 선택 어느 하나의 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 플레이트를 폴리싱하여 제거하는 단계 후에,

마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터와 마이크로 트랜스듀서 중 어느 하나로 사용하기 위하여, 상기 복수의 로드의 상, 하부에 전극을 형성하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 상금형과 하금형의 표면에는 성형되는 성형물의 이탈을 용이하게 하기 위한 TiO2가 더 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 TiO2는 SAM(Self-Assembled Mono-layer)방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자 제조 방법

9 9

지지부의 상부에 종자층을 형성하는 단계와;

상기 종자층의 상부에 감광제층을 형성하는 단계와;

상기 감광제층을 복수의 로드 패턴이 형성된 마스크로 마스킹하고, 노광 및 식각하여 상기 감광제로 이루어진 복수의 로드들을 상기 종자층의 상부에 형성하는 단계와;

상기 종자층의 상부와 상기 복수의 로드들을 감싸도록 상기 지지부와 동일한 물질로 이루어진 도금층을 형성하는 단계와;

상기 도금층을 제외하고, 상기 지지부와 종자층과 복수의 로드들을 순차적으로 제거하여, 상기 도금층의 하부에 복수의 로드들에 대응하는 복수의 요홈들을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 지지부는 Ni, NiP와 NiB 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

11 11

제 9 항에 있어서,

상기 종자층은 타이타늄(Ti)층, 골드(Au)층과 크롬(Cr)/골드(Au)층 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

12 12

제 9 항에 있어서,

상기 감광제는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, Poly Methyl Methacrylate)와 포토레지스트 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

13 13

제 9 항에 있어서,

상기 복수의 요홈은 사각기둥, 원기둥, 원뿔대와 다각기둥 중 선택 어느 하나의 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

14 14

제 9 항에 있어서,

상기 도금층의 하부에 복수의 로드들에 대응하는 복수의 요홈들을 형성하는 단계후에,

상기 복수의 요홈들이 형성된 도금층의 표면에 내마모성을 증가시키기 위하여, TiN, TiC, WC 또는 다이아몬드 중 어느 하나를 증착하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

15 15

제 9 항에 있어서,

상기 도금층의 하부에 복수의 로드들에 대응하는 복수의 요홈들을 형성하는 단계 후에,

상기 복수의 요홈들이 형성된 도금층의 표면에 성형되는 성형물의 이탈을 용이하게 하기 위하여, TiO2를 증착하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

16 16

제 15 항에 있어서,

상기 TiO2는 SAM(Self-Assembled Mono-layer)방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자를 성형하기 위한 금형 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07160500 US 미국 FAMILY
2 US20030080478 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003080478 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7160500 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.