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태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 식각 방법

  • 기술번호 : KST2015146496
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 식각 방법에 관한 것으로, 특히 태양전지에 사용된 실리콘 웨이퍼를 재사용할 수 있는 화학적 식각 방법에 관한 것으로, 인산 용액을 사용하여 태양전지 전면부의 반사 방지막과 태양전지 후면부의 알루미늄 전극을 식각하여 제거하는 제1단계와; 질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 상기 태양전지 전면부의 은 전극, 에미터 층 및 PN 접합부를 식각하여 제거하는 제2단계;를 포함하여, 은 전극과 반사 방지막의 다른 식각비에 기인한 실리콘 웨이퍼의 홈 발생을 방지하여 태양전지 공정에 재사용될 수 있는 두께를 확보할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020140035055 (2014.03.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1617780-0000 (2016.04.27)
공개번호/일자 10-2015-0112063 (2015.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20160504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박노창 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 박종성 대한민국 충청남도 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0288616-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0003497-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0724548-46
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1249896-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1249903-75
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0075854-02
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.02.29 수리 (Accepted) 7-1-2016-0010342-29
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.03.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0300468-57
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0300457-55
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0286950-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
목표 수명을 다한 실리콘 태양전지 또는 공정 중 발생한 불량 태양전지를 화학적으로 식각하는 방법에 있어서,농도 85∼95%의 인산 용액을 사용하여 160℃ ∼180℃ 온도에서 40∼80분간 상기 태양전지 전면부의 반사 방지막과 태양전지 후면부의 알루미늄 전극을 동시에 식각하여 제거하는 제1단계와;질산과 불산의 혼합 용액을 사용하여 상기 태양전지 전면부의 은 전극, 에미터 층 및 PN 접합부를 식각하여 제거하는 제2단계;를 포함함을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 식각 방법
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삭제
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 인산 용액의 농도가 85∼95% 보다 낮으면 상기 160℃ ∼180℃ 보다 상대적으로 온도를 높이거나 시간을 연장하여 식각 처리함을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 식각 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제2단계는,60% 농도의 질산과 49% 농도의 불산을 4:1의 비율로 혼합한 용액을 사용하여 상온에서 40 내지 80초간 식각 처리함을 특징으로 하는 태양전지 웨이퍼 재자원화를 위한 화학적 식각 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 코리아노블메탈 글로벌전문기술개발사업 태양전지 모듈 재자원화 기술 개발