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기판 상부에서, 반도체로 구성된 채널;상기 채널의 상부에 배치되는 게이트 절연체층; 및상기 게이트 절연체층의 상부에 배치되는 플로팅 게이트 전극을 포함하고,상기 플로팅 게이트 전극은,상기 기판에 공급되는 게이트 전압(기판 게이트 전압)의 스윕에 따라 상기 채널로 흐르는 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 제공하고,상기 기판 게이트 전압에 따른 상기 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 이용하여, 기판 게이트 전압을 소정 제1전압에서 제2전압으로 변경하여 준비상태에 진입하는 FET 이온센서
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제3항에 있어서,상기 제2전압을 제어하여, 음이온의 이동 궤적을 조정하는 FET 이온센서
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제3항에 있어서, 이온분자가 상기 채널의 표면에 흡착되는 것에 의해 상기 게이트 절연체층이 대전되어, 상기 채널의 전기전도도가 변경되며, 이에 따른 드레인-소스간 전류의 변화에 의해 이온의 양과 극성이 결정되는 FET 이온센서
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제3항에 있어서,상기 플로팅 게이트 전극 주위에 배치되며, 상기 게이트 절연체층의 상부에 형성되는 제어전극을 더 포함하는 FET 이온센서
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기판 상부에서, 반도체로 구성된 채널;상기 채널의 상부에 배치되는 게이트 절연체층; 및상기 게이트 절연체층의 상부에 배치되는 유무기박막층을 포함하고,상기 유무기박막층은,상기 기판에 공급되는 게이트 전압(기판 게이트 전압)의 스윕에 따라 상기 채널로 흐르는 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 제공하고,상기 기판 게이트 전압에 따른 상기 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 이용하여, 기판 게이트 전압을 소정 제1전압에서 제2전압으로 변경하여 준비상태에 진입하는 FET 이온센서
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제9항에 있어서, 상기 유무기박막층은, 광촉매 물질로 구성되는 FET 이온센서
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제3항 내지 제10항 중 어느 한 항의 FET 이온센서; 및 상기 FET 이온센서의 전단에 배치되어, 상기 FET 이온센서로 유입되는 음이온에 상기 FET 이온센서를 노출하거나 차단하는 차단부를 포함하고,상기 FET 이온센서는,상기 기판에 공급되는 게이트 전압(기판 게이트 전압)의 스윕에 따라 상기 채널로 흐르는 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 제공하고,상기 기판 게이트 전압에 따른 상기 드레인-소스간 전류의 히스테리시스 특성을 이용하여, 기판 게이트 전압을 소정 제1전압에서 제2전압으로 변경하여 준비상태에 진입하는 음이온 센서 시스템
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제11항에 있어서, 상기 차단부는,상기 FET 이온센서를 차단하는 차단판; 및상기 차단판을 개폐하는 구동부를 포함하는 음이온 센서 시스템
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제12항에 있어서, 상기 차단판은, 금속 또는 대전이 용이한 유전체로 이루어지는 음이온 센서 시스템
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제11항에 있어서,음이온을 포함하는 대기를 상기 FET 이온센서로 흡입하게 하는 팬을 더 포함하는 음이온 센서 시스템
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