| 1 |
1
N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 상부면에 형성되는 금속 패턴;상기 금속 패턴의 상부면에 형성되고, 상기 금속 패턴에 의해 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼와 접합되는 P+ 실리콘 웨이퍼;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 하부면에 형성되는 후면 오믹 컨택;상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 상부면에 형성되며 면적에 따라 액티브 영역을 결정하는 전면 오믹 컨택; 을 포함하고,상기 금속 패턴은 P+ 실리콘 웨이퍼의 상기 액티브 영역을 형성하기 위한 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 P+ 실리콘 웨이퍼 중에서 상기 액티브 영역 밖의 부분은 상기 액티브 영역에 해당하는 부분과 분리되어 에지 터미네이션을 위한 플로팅 P+ 실리콘 접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 상부면 중에서 상기 금속 패턴에 의해 노출된 부분은 과도 식각되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 전면 오믹 컨택은 상기 액티브 영역 밖으로 연장되어 에지 터미네이션을 위한 필드 플레이트를 형성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 하부면과 상기 후면 오믹 컨택 사이에 개재되어 후면 오믹 컨택 저항을 감소시키는 질화갈륨 기반층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드
|
| 6 |
6
기판 위에 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 상단에 금속 패턴을 결합하는 단계;상기 금속 패턴의 상부면에 P+ 실리콘 웨이퍼를 형성하여, 상기 금속 패턴에 의해 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 상기 P+ 실리콘 웨이퍼와 결합하는 단계;웨이퍼 박판화 공정을 통해 상기 기판을 제거하는 단계;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 하부면에 후면 오믹 컨택을 형성하는 단계;상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 상부면에 면적에 따라 액티브 영역을 결정하는 전면 오믹 컨택을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 금속 패턴은 P+ 실리콘 웨이퍼의 상기 액티브 영역을 형성하기 위한 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계는 상기 기판 위에 전이층을 성장시킨 후 상기 전이층 위에 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계이며,상기 전이층은 상기 웨이퍼 박판화 공정에서 상기 기판과 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 기판을 제거하는 단계는 상기 웨이퍼 박판화 공정을 통해 상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 상단 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 후면 오믹 컨택을 형성하는 단계 후에, 상기 금속 패턴의 상부면에 대응하여 상기 액티브 영역과, 상기 액티브 영역에 해당하는 부분과 분리되어 에지 터미네이션을 위한 플로팅 P+ 실리콘 접합을 형성하기 위하여, 상기 P+ 실리콘 웨이퍼를 선택적으로 식각하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 10 |
10
기판 위에 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 상단에 금속층을 결합하는 단계;상기 금속층에 의해 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 P+ 실리콘 웨이퍼와 결합하는 단계;웨이퍼 박판화 공정을 통해 상기 기판을 제거하는 단계;상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 하부면에 후면 오믹 컨택을 형성하는 단계;상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 상부면에 면적에 따라 액티브 영역을 결정하는 전면 오믹 컨택을 형성하는 단계;상기 액티브 영역과, 상기 액티브 영역에 해당하는 부분과 분리되어 에지 터미네이션을 위한 플로팅 P+ 실리콘 접합을 형성하기 위하여, 상기 P+ 실리콘 웨이퍼를 선택적으로 식각하는 단계; 를 포함하고,상기 금속층은 상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 선택적 식각에 의해 함께 식각되어 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 P+ 실리콘 웨이퍼의 선택적 식각에 의해 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼의 상부면 중에서 상기 금속 패턴에 의해 노출된 부분이 과도 식각되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
| 12 |
12
제6항에 있어서,상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계는 상기 기판 위에 전이층과 질화갈륨 기반층을 성장시킨 후 상기 질화갈륨 기반층 위에 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼를 성장시키는 단계이며,상기 전이층은 상기 웨이퍼 박판화 공정에서 상기 기판과 함께 제거되고,상기 질화갈륨 기반층은 상기 N- 질화갈륨 에피택시 웨이퍼와 상기 후면 오믹 컨택 사이에 개재되어 후면 오믹 컨택 저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 하이브리드 수직형 질화갈륨 다이오드의 제조 방법
|
