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내부에 전도성 금속이 채워진 비아홀 그룹들을 제 1 웨이퍼를 관통하여 일정간격으로 형성하는 단계와; 상기 제 1 웨이퍼의 비아홀 그룹들 각각의 사이에 위치하는 영역에 탐침을 갖는 캔틸레버를 형성하여 어레이시키고, 상기 각각의 캔틸레버를 구동시키는 신호선을 상기 비아홀 그룹들의 전도성 금속과 전기적으로 연결하는 단계와; 상기 각각의 캔틸레버들을 구동시키기 위한 CMOS 회로부들을 제 2 웨이퍼에 형성하는 단계와; 상기 제 2 웨이퍼의 CMOS 회로부들의 신호선과 상기 비아홀 그룹들의 전도성 금속이 전기적으로 연결되도록, 상기 제 2 웨이퍼 상부에 상기 제 1 웨이퍼를 본딩 또는 언더필(Underfill)하는 단계를 포함하여 구성된 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 웨이퍼의 각각의 캔틸레버에는, 압전 엑츄에이터와 이 압전 엑츄에이터와 이격된 변위센서가 더 형성된 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 웨이퍼는, 상부에 실리콘 산화막, 제 1 실리콘 질화막, 희생층과 제 2 실리콘 질화막이 순차적으로 적층된 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 캔틸레버에는, 상기 비아홀 그룹들의 사이 각각의 상기 제 2 실리콘 질화막 영역에 압전 엑츄에이터와 상기 압전 엑츄에이터와 이격된 변위센서가 더 형성되어 있으며, 상기 캔틸레버를 형성하는 것은, 상기 탐침, 변위센서와 압전 엑츄에이터를 포함하는 영역의 하부에 있는 희생층을 식각하여, 상기 제 2 실리콘 질화막을 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 희생층은, 폴리실리콘, 실리콘 산화막과 PSG(Phosphosilicate glass) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 웨이퍼는, 제 1 실리콘층, 실리콘 산화막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 캔틸레버에는, 상기 비아홀 그룹들의 사이 각각의 상기 제 2 실리콘층 영역에 압전 엑츄에이터와 상기 압전 엑츄에이터와 이격된 변위센서가 더 형성되어 있으며, 상기 캔틸레버를 형성하는 것은, 상기 탐침, 변위센서와 압전 엑츄에이터를 포함하는 영역의 하부에 있는 실리콘 산화막을 식각하여, 상기 제 2 실리콘층을 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 CMOS 회로부에는, 리소그래피를 수행하기 위하여 상기 탐침에 전류를 주입하는 전류구동부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 CMOS 회로부에는, 리소그래피를 수행하기 위하여 상기 탐침에 전류를 주입하는 전류구동부와; 상기 캔틸레버의 변위센서로부터 캔틸레버의 위치를 감지하는 센싱부와; 상기 센싱부의 감지신호를 증폭하는 센서증폭기와; 상기 센서증폭기에서 증폭된 신호를 피드백시켜 주기 위해 처리하는 신호처리부와; 상기 신호처리부에서 처리된 신호로 캔틸레버의 압전 엑츄에이터를 구동시키는 엑츄에이터 구동부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탐침에는, 탄소 나노튜브(CNT)가 더 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탐침에는, 탄소 나노튜브(CNT)가 더 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 리소그래피용 병렬 프로브 제조 방법
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