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실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015146717
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층에 채널영역은 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하고, 채널영역의 상,하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용한 3중 구조로 된 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.따라서, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터나 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단점을 최소화하면서, 간단한 공정으로 마이크로결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 제작할 수 있고, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 이동도 특성은 향상되고, 누설전류 특성의 저하 없이 우수한 소자를 제작할 수 있으므로,능동형 액정 디스플레이(AM-LCD)나 능동형 유기 디스플레이(AM-OLED) 등의 구동소자를 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖도록 제작함으로써 생산 단가의 감소 및 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 3중 구조 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020050115946 (2005.11.30)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0749872-0000 (2007.08.09)
공개번호/일자 10-2007-0056828 (2007.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20070816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이유진 대한민국 경기 용인시 풍덕
2 김성현 대한민국 인천광역시 계양구
3 신진국 대한민국 서울특별시 강남구
4 임굉수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0701114-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0073300-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0698023-22
5 의견서
Written Opinion		 2007.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0067701-35
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0067698-85
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0272792-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명한 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트;상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하고,상기 게이트는 마이크로 결정질 실리콘 박막 상/하부 이중 게이트로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서;상기 적층구조로 된 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막의 소정 부분을 덮고 있는 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막;상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제 2 절연막; 및상기 제 2 절연막과 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막 사이에 형성된 금속층을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판은 금속, 플라스틱, 실리콘 및 글래스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터
5 5
기판 상부에 게이트를 증착한 후, 상기 게이트를 패터닝하는 단계;게이트 절연막과 하부 비정질 실리콘 박막을 순착적으로 증착한 후, 상기 하부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계;마이크로 결정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 상부 비정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계를 포함하고,상기 게이트는 마이크로 결정질 실리콘 박막 상/하부 이중 게이트로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,제 1 절연막을 증착한 후, 상기 제 1 절연막을 패터닝하는 단계;N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막을 증착한 후, 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막을 패터닝하는 단계;제 2 절연막을 증착한 후, 상기 제 2 절연막을 패터닝하는 단계; 및금속층을 증착한 후, 상기 금속층을 패터닝하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 5항에 있어서,상기 마이크로 결정질 박막은 증착 가스 중 수소 가스의 혼합비를 조정하여 제조하는 실리콘 박막 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.