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실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

  • 기술번호 : KST2015146770
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법에 관한 것으로, 하부클래드층과, 상기 하부클래드층의 상부에 형성된 코어층과 상기 코어층위에 형성된 상부클래드층으로 이루어진 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법에 있어서, 웨이퍼상부에 증착된 증착면이 트레이의 안착부에 접촉되도록 상기 웨이퍼를 트레이에 삽입하여 고밀화 공정을 수행하는 것으로 구성된다. 따라서, 본 발명은 실리카 미립자의 고밀화 공정에서 발생되는 입자의 오염, 버블의 형성, 응력 발생 및 결정화를 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.광도파로, 코아, 상부클래드, 하부클래드, 응력, 결정화, 오염, 입자, 고밀화
Int. CL H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020005174 (2002.01.29)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0459770-0000 (2004.11.24)
공개번호/일자 10-2003-0065031 (2003.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20041204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.01.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서용곤 대한민국 전라남도여수시
2 임영민 대한민국 경기도평택시
3 김용탁 대한민국 경기도수원시장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박미숙 대한민국 경기도 남양주시 경춘로 ***(가운동, 브릭스타워)*층 ***호(해솔국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 평택시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0029973-73
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-5027750-91
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0041373-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0115280-18
6 의견서
Written Opinion		 2004.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0199968-11
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0199967-65
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0492962-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5036534-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
1 1

하부클래드층과, 상기 하부클래드층의 상부에 코어층과, 상기 코어층위에 형성된 상부클래드층으로 이루어진 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법에 있어서,

상기 웨이퍼 상부에 증착된 증착면이 트레이의 안착부에 접촉되도록 상기 웨이퍼를 트레이에 삽입하여 고밀화 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 고밀화 공정은,

상기 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼들이 삽입되어 있는 트레이를 전기로에 투입시키는 제 1 단계와;

상기 전기로의 온도를 서서히 높이면서 700~900℃ 범위내의 온도로, 수분제거과정을 수행하는 제 2 단계와;

상기 제 2 단계후에, 급격히 온도를 상승시키는 스냅 온도 상승과정과, 급격히 온도를 하강시키는 스냅 온도 하강과정을 수행하는 제 3 단계와;

상기 제 3 단계후에, 온도를 1100~1350℃ 범위내로 상승시킨 후, 고밀화과정을 수행하는 제 4 단계와;

상기 제 4 단계후에, 온도를 하강시켜, 1000~1100℃ 범위내의 온도로 열처리과정을 수행하는 제 5 단계와;

상기 제 5 단계후에, 온도를 점차 하강시키는 제 6 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 제 3 단계는 최고 1000~1200℃ 범위내로 온도를 급격히 상승시켜, 스냅(Snap)온도 상승과정을 수행하고, 상기 스냅 온도 상승과정에서 원하는 최고 온도에 도달하면, 최저 600~900℃ 범위내로 온도를 급격히 하강시켜, 스냅 온도 하강과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

4 4

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,

상기 제 3 단계는,

상기 제 2 단계와 제 4 단계사이에서 적어도 2회 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 트레이의 안착부는, 하부로 기울어져 있는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 트레이는,

내부의 일측과 타측에 동일한 개수의 안치부들이 형성되고, 타측의 안치부를 일측의 안치부보다 높게 형성되어 있으며;

상기 일측과 타측의 안치부에 광도파로 소자면이 접촉되면서, 상기 웨이퍼가 트레이에 기울어져 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

7 7

하부클래드층과, 상기 하부클래드층의 상부에 형성된 상부클래드층과, 상기 하부클래드층과 상부클래드층의 사이에 형성된 코아로 이루어진 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법에 있어서,

지지판의 상면에 적어도 한 쌍 이상의 가이드부들이 형성되어 있는 트레이를 준비하는 단계와;

상기 한 쌍의 가이드부들 사이에 상기 웨이퍼가 수직적으로 세워지도록 삽입하여 트레이에 웨이퍼를 적재하는 단계와;

상기 웨이퍼가 적재된 트레이를 상부와 하부에 발열체를 구비한 수평형 전기로에서 고밀화공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.