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상면에 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층이 순차로 적층된 베이스 기판; 상기 버퍼층에 접촉되도록 형성되는 소스, 드레인, 바디, 및 게이트 전극; 상기 장벽층 상의 불순물이 제거되도록 플라즈마 처리 후 상기 장벽층 상에 상기 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극들을 덮도록 형성되는 보호층; 및 상기 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극과 연결되는 금속 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 Ar, N2, NH3, SiH4, 및 Si2H6 중 적어도 하나의 가스를 이용하여 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 10W 내지 2000W의 RF 소스파워에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 100 ℃ 내지 400 ℃의 온도에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 N2 가스를 이용하며, 60W의 RF 소스파워, 100 mTorr의 압력, 250 ℃의 온도에서 N2의 유량을 150 sccm로 하여, 4 분(min) 동안 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 NH3 가스를 이용하며, 60W의 RF 소스파워, 50 mTorr의 압력, 250 ℃의 온도에서, NH3 유량을 150 sccm로 하여, 2 분동안 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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7
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는 SiH4, Ar 및 N2의 혼합 가스를 이용하며, 1000W의 RF 소스파워, 15 mTorr의 압력에서, SiH4의 유량을 15 sccm로 하고, Ar의 유량을 60 sccm로 하며, N2의 유량을 8 sccm로 하여 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 보호층은 SiNx(x003e#1) 또는 SiOx(x003e#1)를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 소스, 드레인 및 바디 전극은 오믹 접합(ohmic contact)을 갖도록 열처리됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 쇼트키 접합(schottky contact)을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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베이스 기판 상에 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층을 적층하는 과정과, 상기 버퍼층, 2DEG층 및 장벽층의 일부를 제거하여 상기 버퍼층과 접촉되도록 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극을 형성하는 과정과, 상기 장벽층의 표면에 플라즈마 처리를 수행하는 과정과, 상기 장벽층과 소스, 드레인, 바디 및 게이트 전극을 덮도록 보호층을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 Ar, N2, NH3, SiH4, 및 Si2H6 중 적어도 하나의 가스를 이용하여 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 10W 내지 2000W의 RF 소스파워에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 100 ℃ 내지 400 ℃의 온도에서 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 N2 가스를 이용하며, 60W의 RF 소스파워, 100 mTorr의 압력, 250 ℃의 온도에서 N2의 유량을 150 sccm로 하여, 4 분(min) 동안 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 NH3 가스를 이용하며, 60W의 RF 소스파워, 50 mTorr의 압력, 250 ℃의 온도에서, NH3 유량을 150 sccm로 하여, 2 분 동안 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 플라즈마 처리를 수행하는 과정은 SiH4, Ar 및 N2의 혼합 가스를 이용하며, 1000W의 RF 소스파워, 15 mTorr의 압력에서, SiH4의 유량을 15 sccm로 하고, Ar의 유량을 60 sccm로 하며, N2의 유량을 8 sccm로 하여 수행함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 보호층은 진공 분위기에서 SiNx(x003e#1) 또는 SiOx(x003e#1)를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 소스, 드레인 및 바디 전극은 오믹 접합(ohmic contact)을 갖도록 열처리됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 게이트 전극은 쇼트키 접합(schottky contact)을 갖도록 형성함을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조 방법
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