맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

마이크로 가스 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015146839
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판의 에칭 정도에 따라 감지 물질의 양과 면적을 정량화시킬 수 있고 마이크로 히터를 기판상의 식각된 부분에 증착하고 그 위에 감지물질을 형성함으로써 고밀도 초소형의 구조를 갖는 마이크로 가스 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로 가스 센서는 기판; 상기 기판상에 형성되는 제 1 절연층 및 제 2 절연층; 상기 기판 및 상기 제1 절연층이 식각되어 상부 캐비티가 형성된 후 상기 상부 캐비티 및 식각되지 않은 제1 절연층의 상부에 형성되는 제 3 절연층; 상기 제3 절연층상의 일부에 형성되는 마이크로 히터; 상기 마이크로 히터와 전기적으로 연결되어 상기 제 3 절연층상의 일부에 형성되는 전원 전극; 상기 마이크로 히터 및 상기 전원 전극을 감싸고, 상기 전원 전극의 상부가 노출되도록 형성되는 제 4 절연층; 상기 제 4 절연층 상에 형성되는 감지 전극; 및 상기 감지 전극상에 도포되는 감지 물질을 포함하고, 상기 기판의 배면과 상기 제 2 절연층에는 상기 제 3 절연층의 하부 일부분이 외부에 노출되도록 식각되어 하부 캐비티가 형성되는 것을 구성적 특징으로 한다. 마이크로 가스 센서, 멤브레인, 히터, 감지 전극
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/02 (2006.01) H01L 21/311 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020090016104 (2009.02.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1078187-0000 (2011.10.25)
공개번호/일자 10-2010-0097257 (2010.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.26)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최광용 대한민국 서울특별시 성북구
2 박준식 대한민국 경기도 군포시
3 박광범 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 김성동 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 이민호 대한민국 서울특별시 영등포구
6 김현재 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍순우 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 (서초동)(라온국제특허법률사무소)
2 김해중 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)
3 윤석운 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, 영진벤처빌딩 *층 라온국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0118495-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0063093-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0149665-54
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0359883-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0359813-94
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0612540-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상에 형성되는 제 1 절연층 및 제 2 절연층; 상기 기판 및 상기 제1 절연층이 식각되어 상부 캐비티가 형성된 후 상기 상부 캐비티 및 식각되지 않은 제1 절연층의 상부에 형성되는 제 3 절연층; 상기 제3 절연층상의 일부에 형성되는 마이크로 히터; 상기 마이크로 히터와 전기적으로 연결되어 상기 제 3 절연층상의 일부에 형성되는 전원 전극; 상기 마이크로 히터 및 상기 전원 전극을 감싸고, 상기 전원 전극의 상부가 노출되도록 형성되는 제 4 절연층; 상기 제 4 절연층 상에 형성되는 감지 전극; 및 상기 감지 전극상에 도포되는 감지 물질을 포함하고, 상기 기판의 배면과 상기 제 2 절연층에는 상기 제 3 절연층의 하부 일부분이 외부에 노출되도록 식각되어 하부 캐비티가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 절연층, 제2 절연층 및 제 3 절연층은 실리콘질화막(Si3N4)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 절연층은 열산화 방식 또는 LPCVD 방식에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 상기 상부 캐비티 영역의 측면 및 상부에 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 백금(Pt) 또는 금(Au)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 마이크로 히터는 스퍼터(Sputter) 장비 또는 전자-빔 증착 시스템(e-beam evaporator system) 장비를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전원 전극에 인가되는 전원은 정전류 전원인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 4 절연층은 SiO2-Si3N4-SiO2로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 4 절연층은 인-시투 PECVD 방식에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 감지 전극은 금(Au), 백금(Pt), 및 금-크롬 합금(Au/Cr) 중 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 감지 전극은 스퍼터(Suptter) 또는 전자-빔 증착기(E-beam Evaporator)를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 감지 전극에 인가되는 전원은 정전류 전원인 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 감지 물질은 드롭(drop), 스크린 프린팅(screen printing), 포토리소그래피, 콘택트 인쇄(contact printing), 및 나노 임프린팅(nano imprint) 방식 중 하나에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서
15 15
(a) 기판의 전면 및 배면에 제 1 및 제 2 절연층을 각각 형성하는 단계; (b) 상기 기판의 상기 전면의 일부분이 노출되도록 상기 제 1 절연층의 일부를 제거하는 단계; (c) 상기 제 1 절연층을 마스크로 상기 노출된 기판을 식각하여, 상기 기판 상부에 상부 캐비티를 형성하는 단계; (d) 단계 c)에 이어 상기 상부 캐비티가 형성된 상기 기판 상에 제 3 절연층을 형성하는 단계; (e) 상기 제 3 절연층 상에 마이크로 히터 및 전원 전극을 형성하는 단계; (f) 상기 마이크로 히터 및 전원 전극상에 상기 전원 전극 상부가 노출되도록 제 4 절연층을 형성하는 단계; (g) 상기 제 4 절연층 상에 감지 전극을 형성하는 단계; (h) 상기 상부 캐비티 내부의 상기 감지 전극 상에 감지 물질을 형성하는 단계; 및 (i) 상기 기판의 배면에 하부 캐비티를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 단계 c)는 소정의 식각률을 갖는 KOH 또는 TMAH 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 기판의 배면에 하부 캐비티를 형성하는 (i) 단계는, 상기 기판의 상기 배면의 일부분이 노출되도록 상기 제 2 절연층의 일부를 제거하는 단계; 및 상기 제 2 절연층을 마스크로 상기 노출된 기판을 상기 제 3 절연층의 일부가 노출되도록 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 제조 방법
18 18
제 15 항에 있어서, 상기 (i) 단계는 상기 (h) 단계 전에 수행될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 전자부품연구원 IT원천기술개발사업 나노선 나노튜브 환경 검지 경보 시스템