맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

하이브리드형 나노소자 논리회로 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015147271
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하이브리드형 나노소자 논리회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 n형 반도체 나노와이어 트랜지스터와 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용하여 하이브리드형 나노소자 논리회로를 제조함으로써, 별도의 추가 장치 없이 회로를 구성하는 트랜지스터의 문턱전압을 정확하게 제어하고, 양성자 빔을 조사하여, 조사하는 양성자 빔의 도즈량에 따라 나노소자 논리회로의 구동전압을 선택적으로 조절 가능한 저전압, 고성능의 하이브리드형 나노소자 논리회로 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 기판과, 상기 기판 일측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 및 이를 연결하는 반도체 탄소나노튜브로 이루어진 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터와, 상기 기판 타측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 및 이를 연결하는 산화아연(ZnO)반도체 나노와이어로 이루어진 n형 반도체 나노와이어 트랜지스터와, 상기 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 n형 반도체 나노와이어 트랜지스터의 드레인 전극을 연결하는 금속라인으로 구성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 나노소자 논리회로를 제공한다. 하이브리드형 나노소자 논리회로, n형 반도체 나노와이어, p형 반도체 탄소나노튜브, 양성자 빔, 구동전압 제어, 빔 조사
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/823412(2013.01) H01L 21/823412(2013.01) H01L 21/823412(2013.01) H01L 21/823412(2013.01)
출원번호/일자 1020080117857 (2008.11.26)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1026160-0000 (2011.03.24)
공개번호/일자 10-2010-0059179 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이탁희 대한민국 광주광역시 북구
2 조건호 대한민국 광주광역시 북구
3 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
4 김계령 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 뉴라텍 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0814378-36
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0431934-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044992-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0478411-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0812154-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0812155-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0061916-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하이브리드형 나노소자 논리회로에 있어서, 실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 기판과; 상기 기판 일측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 및 이를 연결하는 반도체 탄소나노튜브로 이루어진 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터와; 상기 기판 타측에 형성된 소스 전극과 드레인 전극 및 이를 연결하는 산화아연(ZnO)반도체 나노와이어로 이루어진 n형 반도체 나노와이어 트랜지스터와; 상기 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 n형 반도체 나노와이어 트랜지스터의 드레인 전극을 연결하는 금속라인; 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 나노소자 논리회로
2 2
제 1항에 있어서, 상기 p형 반도체 탄소나노튜브 트랜지스터는, 다수개의 반도체 탄소나노튜브가 네트워크를 이루어 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 나노소자 논리회로
3 3
삭제
4 4
하이브리드형 나노소자 논리회로를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘 산화막이 형성되어 있는 실리콘 기판상의 미리 설정된 일정 영역에 반도체 탄소나노튜브를 도포하는 단계와; 상기 도포된 반도체 탄소나노튜브 위에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 도포되어 상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하고 있는 소정 부위의 반도체 탄소나노튜브를 제외한 나머지 영역의 탄소나노튜브를 제거하는 단계와; 상기 실리콘 기판상의 미리 설정된 일정 영역에 반도체 나노와이어를 도포하는 단계와; 상기 도포된 반도체 나노와이어 위에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 반도체 탄소나노튜브와 연결된 드레인 전극과 상기 반도체 나노와이어와 연결된 드레인 전극을 금속라인으로 연결하는 단계; 를 포함하여 구성되되, 상기 기판상에 형성된 반도체 탄소나노튜브와 반도체 나노와이어에 양성자 빔을 조사하는 단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법은, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 연결하는 반도체 탄소나노튜브를 다수개의 네트워크로 형성함으로써 반도체 나노와이어와 상기 반도체 탄소나노튜브간의 전류밀도의 균형을 이루도록 구성하는 것을 특징으로 하는 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제 4항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는 10KeV~800MeV의 에너지를 갖는 양성자 빔을 108~1014protons/cm2의 도즈량으로 조사하는 것을 특징으로 양성자 빔을 이용한 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는 실리콘 기판 상에 반도체 나노와이어 및 반도체 탄소나노튜브를 도포한 후 이루어지는 제조공정 중에 실시되는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법
9 9
제 4항에 있어서, 상기 양성자 빔의 조사는 하이브리드형 나노소자 논리회로의 제조가 완료된 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 양성자 빔을 이용한 하이브리드형 나노소자 논리회로 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.