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다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 이를 이용한 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015149128
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 이를 이용한 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법에 관한 것으로, 질화물형성 금속과 비질화물형성 금속으로 구성된 불용성합금계의 화학적 균일성 및 막구조 재현성을 확보하여 다양한 요구 특성을 위한 다성분 나노구조 박막을 효율적으로 형성하고, 복잡한 다원 성분계 코팅 시스템을 단일 타겟 제어를 통해 용이하게 구현하는 것에 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟은, 질소와 반응하여 질화물 형성이 가능한 질화물형성 금속원소 및 상기 질화물형성 금속원소에 대한 고용도가 없거나 낮고 질소와 반응하지 않거나 반응성이 낮은 비질화물형성 금속원소의 비정질 또는 부분결정화된 비정질형성 합금계를 포함하는 것으로, 상기 질화물형성 금속원소는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Al, Si로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 비질화물형성 금속원소는 Mg, Ca, Sc, Ni, Cu, Y, Ag, In, Sn, La, Au, Pb로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) B22F 9/08 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) B22F 3/115 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100115896 (2010.11.19)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0055473 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100111197   |   2010.11.09
대한민국  |   1020090112258   |   2009.11.19
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120157016;
심사청구여부/일자 Y (2010.11.19)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신승용 대한민국 서울특별시 서초구
2 문경일 대한민국 인천광역시 남구
3 선주현 대한민국 인천광역시 연수구
4 이장훈 대한민국 인천광역시 서구
5 배정찬 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 **, 성원상떼빌 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 박기원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
5 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.19 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0759153-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0081650-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0518892-02
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0753389-02
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0891515-62
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0984079-15
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1092926-73
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.02 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0000317-10
12 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0004477-99
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0004018-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0016261-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물형성 금속원소 및 상기 질화물형성 금속원소에 대한 고용도가 없거나 낮고 질소와 반응하지 않거나 반응성이 낮은 비질화물형성 금속원소의 비정질 또는 부분결정화된 비정질형성 합금계를 포함하며, 상기 질화물형성 금속원소는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Y, Mo, W, Al, Si로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 비질화물형성 금속원소는 Mg, Ca, Sc, Ni, Cu, Ag, In, Sn, La, Au, Pb로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟
2 2
제1항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소를 40at% 초과 및 80at% 이하의 원자비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟
3 3
제2항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소를 60at% 이상 및 80at% 이하의 원자비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,마찰화학반응을 통해 저마찰 산화물을 형성할 수 있는 Mo, V, Co, Ag, Cu, Ni, Ti, W로부터 선택된 적어도 하나의 저융점 산화물형성 가능 금속원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소와 비질화물형성 금속원소는 상호 간의 원자반경의 차이가 14% 이상이거나 결정구조가 상이한 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟
6 6
질화물형성 금속원소 및 상기 질화물형성 금속원소에 대한 고용도가 없거나 낮고 질소와 반응하지 않거나 반응성이 낮은 비질화물형성 금속원소를 비정질 또는 부분결정화된 비정질형성 합금계로 형성하며, 상기 질화물형성 금속원소는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Y, Mo, W, Al, Si로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 비질화물형성 금속원소는 Mg, Ca, Sc, Ni, Cu, Ag, In, Sn, La, Au, Pb로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소를 40at% 초과 및 80at% 이하의 원자비율로 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소를 60at% 이상 및 80at% 이하의 원자비율로 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
9 9
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,마찰화학반응을 통해 저마찰 산화물의 형성이 가능한 Mo, V, Co, Ag, Cu, Ni로부터 선택된 적어도 하나의 산화물형성 금속원소를 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
10 10
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소와 비질화물형성 금속원소를 포함하는 합금을 아토마이징하고, 아토마이징 분말을 과냉액체구간에서 가열 및 가압 소결하여 벌크화하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
11 11
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소와 비질화물형성 금속원소를 용융 및 급속응고시키는 직접 주조방법을 통해 벌크화하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스퍼터링 타겟 제조방법
12 12
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화물형성 금속원소와 비질화물 형성 금속원소를 고주파 콜드 크루시블(induction-cold crucible)을 이용한 급속응고를 통해 결정화하고 미세결정을 갖는 주조조직으로 만들어 벌크화하는 것을 특징으로 하는 다성분 단일체의 스프터링 타겟 제조방법
13 13
질화물형성 금속원소 및 질소와 반응하지 않는 비질화물형성 금속원소를 비정질 또는 부분결정화된 비정질형성 합금계의 타겟으로 만들고,상기 타겟을 질소 및 불활성기체를 포함하는 혼합기체 분위기에서 선택적 반응성 스퍼터링하여 기지재의 표면에 박막을 형성하며, 상기 질화물형성 금속원소는 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Y, Mo, W, Al, Si로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고, 상기 비질화물형성 금속원소는 Mg, Ca, Sc, Ni, Cu, Ag, In, Sn, La, Au, Pb로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 타겟에 질화물형성 금속원소가 40at% 초과 및 80at% 이하의 원자비율로 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 타겟에 질화물형성 금속원소가 60at% 이상 및 80at% 이하의 원자비율로 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
16 16
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반응성 스퍼터링을 위한 혼합기체는 산소 및 산화물 기체, 탄소 및 탄화물 기체 중 적어도 하나의 반응성 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
17 17
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 타겟에 마찰화학반응을 통해 저마찰 산화물의 형성이 가능한 Mo, V, Co, Ag, Cu, Ni로부터 선택된 적어도 하나의 산화물형성 금속원소가 함유되도록 하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
18 18
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 타겟은 질화물형성 금속원소와 비질화물형성 금속원소를 아토마이징하고, 아토마이징 분말을 과냉액체구간에서 가열 및 가압 소결하여 벌크화하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
19 19
제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기지재와 반응성 스퍼터링에 의한 박막의 사이에 비반응성 스퍼터링에 의한 비정질의 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다성분 합금계 나노구조 박막 제조방법
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7 WO2011062450 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 KR20110055399 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 KR20130006413 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
4 US2012247948 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2016068943 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.