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외관을 이루며 내부가 진공상태로 구성된 작업챔버;상기 작업소스챔버 내부에 구비되며 가공대상물이 상면에 안착되는 스테이지 및;상기 스테이지에 대응되도록 상기 작업챔버에 구비되어 전력을 인가받아 상기 가공대상물에 전자빔을 주사하는 주사부, 상기 주사부에 발생하는 전자빔이 일정한 주기를 가지도록 전력의 공급과 중단을 반복하는 펄스전원부, 주사부에서 주사되는 전자빔의 이동경로 일부를 감싸도록 위치하여 주사되는 전자빔을 집속시키는 집속부를 포함하는 주사모듈;을 포함하여 구성되는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 1항에 있어서,상기 펄스전원부는,상기 주사부에 전력을 공급하는 시간이 전자빔이 상기 가공대상물에 주사되어 침투깊이까지 열이 전달되는 시간보다 짧은 것을 특징으로 하는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 1항에 있어서,상기 주사모듈은,상기 집속부와 상기 가공대상물의 사이에 구비되어 상기 집속부를 통과한 전자빔의 주사지점이 조절되도록 하는 편향부를 더 포함하여 구성되는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 3항에 있어서,상기 펄스전원부는,상기 주사부에 전력을 공급하지 않는 시간은 상기 편향부에 의해서 전자빔의 주사지점이 이동되는 속도에 비례하여 이동시 누락되는 구간이 없도록 하는 것을 특징으로 하는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 1항에 있어서,상기 주사부는,일측에 개구되어 전자를 방출하는 에노드를 구비하며 내부에 플라즈마 가스를 가지는 소스챔버;상기 에노드의 타측에 구비되며 전극을 걸어 전자가 타측으로 이동되도록 하는 가속기; 및상기 소스챔버 내부에 플라즈마 전자가 생성되도록 하는 플라즈마발생기;를 포함하여 구성되는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 5항에 있어서,상기 주사부는,상기 소스챔버내부에 구비되며 전자가 상기 에노드를 통해서 이동하는 경로상에 위치하여 통과되는 전자빔의 전자가 균등하게 분포되도록 하는 그리드를 더 포함하여 구성되는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 5항에 있어서,상기 가속기는,전자가 방출되는 상기 에노드 방향으로 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 5항에 있어서,상기 플라즈마발생기는,일정한 주기를 가지고 플라즈마를 발생시킬 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 1항에 있어서,상기 주사부는,인가받은 전압에 의해서 방출되는 전자의 열에너지가 조절되는 것을 특징으로 하는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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제 1항에 있어서,상기 스테이지는,횡 방향 및 상하방향으로 이동이 가능하도록 구성되는 펄스를 가지는 전자빔을 이용한 표면처리장치
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