맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 탄탈륨 스퍼터링 타깃

  • 기술번호 : KST2015149624
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 탄탈륨 스퍼터링 타깃에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법은 Ta 잉곳(ingot) 또는 Ta 빌릿(billet)을 압연 시 상부롤과 하부롤의 회전속도비를 다르게 실시하는 이속압연을 실시하고 재결정 열처리하는 것을 특징으로 한다. 상기한 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법은 결정립 평균입경이 1~20㎛의 미세 결정립 크기를 갖도록 하는 것이 가능하고, 집합조직의 분율을 조절할 수 있게 된다. 따라서 상기 제조방법에 의해 제조된 탄탈륨 스퍼터링 타깃은 이를 이용하여 스퍼터링 시 막질이 균일하고 오염발생이 없어 반도체 공정의 확산방지막 형성에 유용하게 적용할 수 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020100002270 (2010.01.11)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0082338 (2011.07.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.11)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김원용 대한민국 서울특별시 강남구
2 김한솔 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0016134-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2010-5161401-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0009667-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0728204-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0098616-30
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0098617-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0382485-21
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Ta 잉곳(ingot) 또는 Ta 빌릿(billet)을 압연하고 재결정 열처리하는 공정을 포함하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법에 있어서, 상기 압연은 상부롤과 하부롤의 회전속도비를 다르게 실시하는 이속압연인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 이속압연은 압하율 85%~95%로 실시하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 이속압연은 하부롤에 대한 상부롤의 회전속도비를 1:2~1:4로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
4 4
청구항 1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 재결정열처리는 1000℃~1300℃의 온도에서 10분~60분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 재결정열처리는 1×10-4torr 이하의 진공상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 재결정열처리는 1×10-4torr 내지 1×10-6torr의 진공상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 결정 평균입경은 1~20㎛의 미세 결정립 크기로 하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 제조방법
8 8
청구항 1의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 탄탈륨 스퍼터링 타깃의 결정 평균입경은 1~20㎛의 미세 결정립 크기인 것을 특징으로 하는 탄탈륨 스퍼터링 타깃
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.