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황화아연(ZnS)을 포함하는 이중 버퍼와 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법
- 기술번호 : KST2015154009
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 황화아연(ZnS) 포함하는 이중 버퍼를 적용하는 CI(G)S 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이에 본 발명은 태양전지에서의 황화카드뮴(CdS) 버퍼층을 대체하기 위한 황화아연(ZnS) 버퍼층의 제조방법에 있어서, ⅰ) 광흡수층 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층을 형성하는 단계; ⅱ) 제 1 버퍼층 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법을 제공한다. 황화아연(ZnS) 버퍼층은 황화카드뮴(CdS) 버퍼층에 비해서 비교적 낮은 전기 친화성을 가지고 더 넓은 에너지 밴드갭을 있을 뿐 아니라 본 발명의 전도성 물질을 포함하는 이중 버퍼를 적용하여 저항을 감소시킴으로써, 높은 광전변환효율을 얻을 수 있게 된다. 또한 황화카드뮴(CdS)에 비하여 독성이 적기 때문에 환경문제도 해결할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130158947 (2013.12.19) |
| 출원인 | 한국에너지기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1523246-0000 (2015.05.20) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20150601) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.12.19) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박주형 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 조준식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 어영주 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 윤재호 | 대한민국 | 대전 중구 |
| 5 | 윤경훈 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 6 | 신기식 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 7 | 곽지혜 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 8 | 안세진 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 9 | 안승규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 10 | 유진수 | 대한민국 | 서울 노원구 |
| 11 | 조아라 | 대한민국 | 서울 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한상수 | 대한민국 | 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국에너지기술연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.12.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1163254-88 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.11.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0798810-37 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0062649-63 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.01.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0062660-66 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0330435-11 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 태양전지에서의 버퍼층의 제조방법에 있어서,ⅰ) 광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s100);ⅱ) 제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s200);를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s100)에서,상기 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s100)에서,상기 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)의 두께는 1-30nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s200)에서,상기 전도성 물질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중에서 적어도 어느 하나 이상의 금속으로 구성된 것임을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s200)에서,상기 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s200)에서,상기 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)의 두께는 10-50nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s200)서,상기 전도성 물질과 황화아연(ZnS)의 원소비율은 알루미늄의 경우 1-10%, 알루미늄 이외의 원소들의 경우 1-20%의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼의 제조방법 |
| 8 |
8 광흡수층 위에 증착되는 태양전지의 버퍼층에 있어서,제 1항 내지 제 7항 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는박막 태양전지의 이중버퍼 |
| 9 |
9 태양전지의 제조방법에 있어서,(Ⅰ) 기판(100)을 준비하는 단계(s1000);(Ⅱ) 기판(100) 위에 후면전극층(200)을 형성하는 단계(s2000);(Ⅲ) 후면전극층(200) 위에 광흡수층(300)을 형성하는 단계(s3000);(Ⅳ) 광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000);(Ⅴ) 제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s5000);(Ⅵ) 제 2 버퍼층(500) 위에 투명전극층(600)을 형성하는 단계(s6000);를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서,광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000)에서,상기 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서,광흡수층(300) 위에 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)을 형성하는 단계(s4000)에서,상기 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 1 버퍼층(400)의 두께는 1-30nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s5000)에서,상기 전도성 물질은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 갈륨(Ga), 인듐(In) 중에서 적어도 어느 하나 이상의 금속으로 구성된 것임을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 13 |
13 제 9항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s5000)에서,상기 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition) 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 14 |
14 제 9항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s5000)에서,상기 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)의 두께는 10-50nm의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 15 |
15 제 9항에 있어서,제 1 버퍼층(400) 위에 전도성 물질이 도핑된 황화아연(ZnS)으로 구성된 제 2 버퍼층(500)을 형성하는 단계(s5000)에서,상기 전도성 물질과 황화아연(ZnS)의 원소비율은 알루미늄의 경우 1-10%, 알루미늄 이외의 원소들의 경우 1-20%의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 이중 버퍼를 적용한 태양전지의 제조방법 |
| 16 |
16 기판(100)과, 상기 기판 위에 형성되는 후면전극층(200)과, 상기 후면전극층(200) 위에 형성되는 광흡수층(300)과, 상기 광흡수층(300) 위에 형성되는 제 1 버퍼층(400), 상기 제 1 버퍼층(400) 위에 형성되는 제 2 버퍼층(500)과, 상기 제 2 버퍼층(500) 위에 형성되는 투명전극층(600)을 포함하는 태양전지에 있어서,제 9항 내지 제 15항 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 산업기술연구회 | 주요사업(연구원 자체사업) | 플렉서블 박막 태양전지 고효율화 기술 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1523246-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20131219 출원 번호 : 1020130158947 공고 연월일 : 20150601 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150519 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 황화아연(ZnS)을 포함하는 이중 버퍼와 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2015년 05월 20일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 04월 16일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2019년 03월 26일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2020년 03월 09일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.12.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1163254-88 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5003356-15 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2014.11.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0798810-37 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.01.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0062649-63 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.01.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0062660-66 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0013224-83 |
| 7 | 등록결정서 | 2015.05.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0330435-11 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5010650-13 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5004978-55 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166803-39 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5166801-48 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.09.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5197654-62 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415111585 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KIER-B02404 |
| 연구과제명 | 저가형 리본태양전지 기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
| 연구주관기관명 | 한국에너지기술연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200801~201212 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1711008906 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2E23820 |
| 연구과제명 | 플렉서블 박막 태양전지 원천기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201201~201412 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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