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재사용 가능한 질화갈륨기판을 구비하는 질화갈륨계 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법

  • 기술번호 : KST2015157527
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드유닛으로부터 분리되어 재사용 가능한 질화갈륨기판을 구비하는 질화갈륨계 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법이 개시된다. 개시된 본 발명에 의한 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법은, 질화갈륨(GaN)기판상에 금속나노입자를 형성시키는 단계, 금속나노입자를 수소 플라즈마 처리하여 수소 이온과 금속나노입자를 결합시키는 단계, 수소 이온과 결합된 금속나노입자위에 질화갈륨계 발광 다이오드유닛을 성장시키는 단계, 수소 이온과 결합된 금속나노입자에 근자외선을 조사하여 금속나노입자로부터 수소 이온을 분리시키는 단계, 그리고, 수소 이온과 분리된 금속나노입자를 열처리하여 질화갈륨기판과 발광 다이오드유닛을 분리시키는 단계를 포함한다. 이와 같은 구성에 의해, 재사용이 가능한 질화갈륨기판을 제공할 수 있어 제작비용 및 결함밀도를 저감시킬 수 있게 된다. 질화갈륨, 기판, 분리, 재사용, 재활용, 발광 다이오드, LED, GaN.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/30 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020090031761 (2009.04.13)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1009203-0000 (2011.01.11)
공개번호/일자 10-2010-0113274 (2010.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20110119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천시 남구
2 이동진 대한민국 충청남도 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0220804-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
3 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0005244-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화갈륨(GaN)기판상에 금속나노입자를 형성시키는 단계; 상기 금속나노입자를 수소 플라즈마 처리하여 수소 이온과 상기 금속나노입자를 결합시키는 단계; 상기 수소 이온과 결합된 금속나노입자위에 질화갈륨계 발광 다이오드유닛을 성장시키는 단계; 상기 수소 이온과 결합된 금속나노입자에 근자외선을 조사하여, 상기 금속나노입자로부터 상기 수소 이온을 분리시키는 단계; 및 상기 수소 이온과 분리된 상기 금속나노입자를 열처리하여, 상기 질화갈륨기판과 상기 발광 다이오드유닛을 분리시키는 단계; 를 포함하는 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속나노입자 형성단계는, 상기 질화갈륨기판 상에 열에 의해 뭉치는 재질로 형성되는 제1박막, 광촉매제로 형성되는 제2박막 및, 수소와의 결합을 보조하는 제3박막을 순차적으로 증착시키는 단계; 및 상기 제1 내지 제3박막을 열처리하여 상기 금속나노입자를 형성시키는 단계; 를 포함하는 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1박막은 금(Au)으로 형성되고, 상기 제2박막은 산화티탄(TiO2)으로 형성되며, 상기 제3박막은 실리콘(Si)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속나노입자는 상기 질화갈륨기판의 전체 면적 대비 10% 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속나노입자는, 상기 질화갈륨기판 상에 열에 의해 뭉치는 금(Au)으로 형성되는 제1박막, 광촉매제인 산화티탄(TiO2)으로 형성되는 제2박막 및, 수소와의 결합을 보조하는 실리콘(Si)으로 형성되는 제3박막을 순차적으로 차례로 증착시킨 후 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드장치의 질화갈륨기판 분리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.