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알칸계 가스 40 - 60 부피% 및 잔여부피의 불활성 가스로 이루어지는 혼합가스를 식각 가스로 준비하는 단계(단계 1); 및상기 식각 가스를 플라즈마화 시킨 후, 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 패터닝된 하드 마스크를 식각 마스크로 하여 산화마그네슘(MgO) 박막을 식각하는 단계(단계 2); 를 포함하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 1의 상기 알칸계 가스는 60 부피%인 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 1의 상기 알칸계 가스는 탄소수 1 - 4의 직쇄 또는 측쇄의 알칸계 가스인 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 1의 상기 알칸계 가스는 CH4, C2H6 또는 C3H8인 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 1의 상기 불활성 가스는 Ar, He, Ne 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단게 2의 상기 식각가스의 플라즈마화는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각법, 자기 증각 반응성 이온 식각법 및 반응성 이온 식각법 중 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 2의 상기 하드마스크는 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 2의 상기 식각은 800 - 1500 W의 코일 고주파 전력, 300 - 500 V의 dc-바이어스 전압 및 1 - 10 mTorr 범위의 가스 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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제1항에 있어서, 단계 2의 상기 패터닝된 하드마스크는,하드 마스크 상부에 포토레지스트를 적층하는 단계(단계 A)상기 포토레지스트를 리소그래피 공정에 의해 패터닝하는 단계(단계 B)상기 패터닝된 포토레지스트를 식각 마스크로 하여 하드 마스크를 식각하는 단계(단계 C); 및상기 포토레지스트를 포토레지스트 스트리퍼(photoresist stripper)를 이용하여 제거하는 단계(단계 D); 를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 MgO 박막의 건식 식각 방법
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