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CoFe, CoFeB, CoFeSiB, CoFeTb, CoZrB, CoZrTb, CoPt, NiFeCo, NiFeCr 및 NiFe로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계 (단계 1); 및CH3OH 70~95 부피% 및 불활성 가스 5~30 부피%의 조성을 가지는 혼합가스를 식각가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 700 ~ 1500 W의 코일 고주파 전력, DC 바이어스 전압 300 ~ 500 V 의 조건으로 플라즈마화하며, 1 ~ 5 mTorr 범위의 가스압력 조건하에 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의하여 마스킹된 자성박막을 식각하는 단계 (단계 2);를 포함하는 자성박막의 식각방법
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IrMn 또는 PtMn인 자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계 (단계 1); 및CH3OH 30~70 부피% 및 불활성 가스 30~70 부피%의 조성을 가지는 혼합가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 800 ~ 1500 W의 코일 고주파 전력, DC 바이어스 전압 300 ~ 500 V 의 조건으로 플라즈마화하며, 1 ~ 5 mTorr 범위의 가스압력 조건하에 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의하여 마스킹된 자성박막을 식각하는 단계 (단계 2);를 포함하는 자성박막의 식각방법
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CoPd, FePt, FeZr, FeMn 및 FePd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종인 자성 박막을 마스크로 패터닝하여 마스킹하는 단계 (단계 1); 및CH3OH 40~80 부피% 및 불활성 가스 20~60 부피%의 조성을 가지는 혼합가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 700 ~ 1500 W의 코일 고주파 전력, DC 바이어스 전압 300 ~ 500 V 의 조건으로 플라즈마화하며, 1 ~ 5 mTorr 범위의 가스압력 조건하에 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의하여 마스킹된 자성박막을 식각하는 단계 (단계 2);를 포함하는 자성박막의 식각방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 2의 불활성 가스는 He, Ne, Ar 및 N2 가스로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 자성박박의 식각방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식각가스의 플라즈마화는 유도결합플라즈마 반응성 이온식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온식각법, 자기증강반응성 이온식각법 및 반응성 이온 식각법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 자성박막의 식각방법
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