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커패시터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158153
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 제1전극에 유전체막을 형성하는 단계, 유전체막이 형성된 제1전극에 염소이온(Cl-)을 포함하는 전처리 용액을 이용하여 전처리하는 단계, 제1전극에 전류를 공급하여 유전체막에 잔류하는 염소이온을 방출시켜 제거하는 단계, 제2양극산화공정을 통하여 염소이온에 의하여 손상된 유전체막을 회복시키는 단계 및 회복된 유전체막 상에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 커패시터 제조방법을 제공한다. 따라서 염소이온에 대한 후처리를 실시하여, 파괴된 유전체막의 내전압을 회복시킬 수 있으며, 커패시터 용량의 상실을 방지할 수 있다.
Int. CL H01G 4/018 (2006.01)
CPC H01G 9/055(2013.01) H01G 9/055(2013.01)
출원번호/일자 1020130130236 (2013.10.30)
출원인 인하대학교 산학협력단, 삼영전자공업(주)
등록번호/일자 10-1539860-0000 (2015.07.21)
공개번호/일자 10-2015-0049543 (2015.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20150727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 삼영전자공업(주) 대한민국 경기도 성남시 중원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 탁용석 대한민국 서울 서초구
2 이병구 대한민국 서울 양천구
3 김성수 대한민국 경기 안양시 동안구
4 최형선 대한민국 경기 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
2 삼영전자공업(주) 대한민국 경기도 성남시 중원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0987234-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0032296-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.11.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0097055-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0853197-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0150258-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0150257-66
8 등록결정서
Decision to grant
2015.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0417778-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1전극인 알루미늄을 양극으로 양분극 처리하는 제1차양극산화공정을 실시하여, 제1전극에 산화알루미늄인 유전체막을 형성하는 단계;염소이온(Cl-)을 포함하는 염화주석(SnCl2) 또는 염화팔라듐(CL2Pd)으로 이루어진 전처리 용액을 이용하여, 상기 유전체막이 형성된 제1전극을 전처리하는 단계;상기 제1전극에 전류밀도는 30㎂/㎠ 내지 45㎂/㎠범위의 전류를 공급하는 환원전류법(Cathodic current)으로, 상기 유전체막에 포함된 상기 염소이온을 제거하는 단계;상기 제1차양극산화공정과 동일 또는 유사한 전압조건으로 제1전극을 양극으로 양분극 처리하는 제2차양극산화공정을 실시하여, 상기 염소이온의 제거되어 손상된 상기 유전체막을 회복시키는 단계; 및회복된 상기 유전체막 상에 구리 무전해도금 공정으로 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하는 커패시터 제조방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)삼영에스앤씨 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) Nano Pore 구조를 이용한 정전 용량 3㎌(±3%)급, 50㎜×50㎜×5㎜ 크기의 박막 적층 캐패시터 개발