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고분자 층의 표면가공방법

  • 기술번호 : KST2015158366
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자 층의 표면가공방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 a)일면에 진공상태로 이루어진 복수 개의 나노 홀이 형성된 나노 판을 준비하는 단계; b)나노 판의 일면에 고분자 층을 형성하고 나노 판과 접착되는 고분자 층의 일면을 가열하는 단계; c)나노 판과 접착되는 고분자 층의 일면을 나노 홀로 진공 흡입함으로써 고분자 층의 일면에 복수 개의 돌기를 형성하는 단계; 및 d)고분자 층을 상기 나노 판으로부터 분리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 고분자 층의 표면에 다양한 나노구조의 돌기를 용이하게 형성할 수 있어 고분자 층의 표면을 개질함으로써 다양한 기능성 소재로 활용할 수 있다. 표면가공, 고분자, 진공흡입, 돌기
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020080013642 (2008.02.14)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0973430-0000 (2010.07.27)
공개번호/일자 10-2009-0088224 (2009.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20100802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이한섭 대한민국 인천 연수구
2 최기운 대한민국 인천 남동구
3 양이슬 대한민국 인천 남동구
4 이준호 대한민국 경기 광명시 철
5 박기호 대한민국 인천 남구
6 최진섭 대한민국 경기 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0112432-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0053478-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0156016-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0156018-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315799-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a)일면에 진공상태로 이루어진 복수 개의 나노 홀이 형성된 나노 판을 준비하는 단계; b)상기 나노 판의 일면에 고분자 층을 형성하고 상기 나노 판과 접착되는 고분자 층의 일면을 가열하는 단계; c)상기 나노 판과 접착되는 고분자 층의 일면을 나노 홀로 진공 흡입함으로써 상기 고분자 층의 일면에 복수 개의 돌기를 형성하는 단계; 및 d)상기 고분자 층을 상기 나노 판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 고분자 층의 표면가공방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 나노 홀의 깊이는 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 고분자 층의 두께는 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 b)단계에서, 상기 고분자 층의 일면은 상기 고분자 층에 사용된 고분자의 유리전이온도에서부터 상기 고분자의 용융온도보다 150℃ 높은 온도범위 내에서 가열하는 것을 특징으로 하는 고분자 층의 표면가공방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 c)단계에서, 상기 돌기의 길이는 나노 홀의 진공도, 외부압력 또는 진공 흡입시간 중 하나 이상의 조건을 변화시킴으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 고분자 층의 표면가공방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 나노 홀의 진공도는 0
7 7
제 6항에 있어서, 상기 진공 흡입시간은 1~3600초인 것을 특징으로 하는 고분자 층의 표면가공방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 나노 판은 산화알루미늄(aluminium oxide) 또는 실리콘(silicon)으로 이루어진 것이거나 상기 나노 판의 표면에 계면활성제를 코팅하거나 화학적 반응시킨 것을 특징으로 하는 고분자 층의 표면가공방법
9 9
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 표면가공된 상기 고분자 층은 광학필름, 전자 디스플레이용 필름, 태양전지, 바이오센서, 기능성 의류섬유 및 고분자 필름의 표면 나노 구조의 특성이 요구되는 분야 중에서 선택된 어느 하나의 소재로 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 층의 표면가공방법
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1 WO2009102097 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2009102097 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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