맞춤기술찾기

이전대상기술

자기터널접합 구조용 건식 식각 방법 및 이를 위한 기화장치

  • 기술번호 : KST2015158471
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 여러 자기 자성 물질, 금속 물질, 산화막으로 이루어진 자기터널접합(Magnetic Tunnel Junction; MTJ) 구조용 건식 식각 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 H2O 가스 또는 H2O2 가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 플라즈마화 하여 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 자기터널접합 구조를 식각하는 단계를 포함하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법은 수소, 산소와 OH(hydroxy)기를 포함하는 H2O 가스, H2O 가스와 Ar 가스의 혼합가스, H2O 가스와 CH4 가스의 혼합가스, H2O2 가스, H2O2 가스와 Ar 가스의 혼합가스, 및 H2O2 가스와 CH4 가스의 혼합가스 중 어느 하나를 식각 가스로 준비하는 단계(S100); 및 상기 식각 가스를 플라즈마화 시킨 후, 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 단계(S200);를 포함한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130095016 (2013.08.09)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1489740-0000 (2015.01.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.09)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울 마포구
2 이태영 대한민국 전남 여수시 소호*길 **,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0725460-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0036577-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0490985-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0876581-37
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0876539-29
7 등록결정서
Decision to grant
2015.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0058729-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
H2O 가스 또는 H2O2 가스를 식각 가스로 준비하는 단계(S100); 및상기 식각 가스를 플라즈마화 시킨 후, 상기 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 단계(S200); 를 포함하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 H2O 가스로는 He, Ne, Ar 및 N2로 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 H2O 가스와 Ar 가스의 혼합가스는 상기 H2O 가스가 20% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 H2O 가스로는 CH4, CH3OH 및 C2H5OH 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 H2O 가스와 CH4 가스의 혼합가스는 상기 H2O 가스가 20% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 H2O 가스로는 O2 가스와, He, Ne, Ar 및 N2로 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 첨가 가스는 상기 O2 가스가 20% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 H2O2 가스로는 He, Ne, Ar 및 N2로 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 H2O2 가스와 Ar 가스의 혼합가스는 상기 H2O 가스가 20% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 H2O2 가스로는 CH4, CH3OH 및 C2H5OH 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 H2O2 가스와 CH4 가스의 혼합가스는 상기 H2O2 가스가 20% 이상 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 H2O2 가스로는 O2 가스와, He, Ne, Ar 및 N2로 이루어진 군으로부터 1종 이상의 가스가 첨가 가스로 첨가되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 첨가 가스는 상기 O2 가스가 20% 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 식각 가스를 준비하는 단계(S100)는,액체 상태의 H2O 또는 H2O2를 기화기를 이용하여 기화시키는 단계(S110)와,상기 기화된 가스를 가열하여 상기 H2O 가스 또는 상기 H2O2 가스를 생성하는 단계(S120)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 식각 가스의 플라즈마화 처리는,유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각법을 포함하는 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각법, 자기 증강 반응성 이온 식각법 및 반응성 이온 식각법 중 어느 하나를 선택하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법
16 16
제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 건식 식각 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조(MTJ stack)를 가진 메모리 소자
17 17
제1항에 기재된 상기 H2O 가스 또는 상기 H2O2 가스를 생성시키기 위한 기화장치로서,외주면에 히팅 패드(12)가 구비된 기화기 용기(10);상기 기화기 용기(10)의 일측에 연결되어 액체 상태의 H2O 또는 H2O2가 유입되는 유입라인(30); 및상기 기화기 용기(10)의 타측에 연결되어 상기 히팅 패드(12)에 의해 기화된 H2O 가스 또는 H2O2 가스가 유입되어 반응 챔버(200)로 배출되는 배출라인(40);을 포함하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법을 위한 기화장치
18 18
제17항에 있어서,상기 배출라인(40)은 상기 기화된 H2O 가스 또는 H2O2 가스가 상기 반응 챔버(200)로 이동하는 동안 응축되는 것을 방지하도록 열선(42)과 MFC(44)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법을 위한 기화장치
19 19
제17항에 있어서,상기 기화기 용기(10)는 그 내부 온도를 측정하기 위한 온도 측정계(14)와, 상기 기화된 H2O 가스 또는 H2O2 가스의 압력을 측정하기 위한 압력 게이지(16)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 구조용 건식 식각 방법을 위한 기화장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체공정장비) 스핀-궤도 결합을 이용한 반금속 p-MRAM 기술