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중성자 변환 도핑 방식을 이용한 반도체 재료 제조시 중성자속 균일화 방법에 있어서,복수의 실리콘 잉곳 사이에 복수의 중성자 산란층을 삽입한 후 원자로 내에서 중성자를 조사하여 상기 중성자 산란층의 중성자 산란을 통해 상기 실리콘 잉곳의 중심부와 주변부간의 중성자속을 균일화하는 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 중성자 산란층은, 상기 실리콘 잉곳의 중심부에서 주변부로 갈수록 밀도를 변화시키는 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 중성자 산란층의 밀도는,중성자확산 계산이나 중성자 실험을 통하여 얻은 최적 분포를 적용하는 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 중성자 산란층은, 상기 실리콘 잉곳의 두께에 상응하여 그 두께를 변화시키는 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 중성자 산란층은,그 직경을 상기 실리콘 잉곳의 직경과 같거나 작게 하는 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 중성자 산란층은, 중성자 흡수 단면적이 적고, 중성자 산란 단면적이 큰 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 중성자 산란층은, 중성자 흡수 단면적이 적고, 중성자 산란 단면적이 큰 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성자 변환 도핑에서의 레디얼 방향의 중성자속 균일화 방법
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