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강유전체막과, 상기 강유전체막 표면에 형성되는 상유전체막을 포함하여 이루어진 강유전체로서,상기 강유전체의 잔류 분극(remanent polarization)과 항전계(coercive field)가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되며, 상기 상유전체막의 두께가 상기 강유전체막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 강유전체
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제 1 항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), SBT(SrBi2Ta2O9), SBTN(SrBi2(Ta,Nb)O9), BLT((Bix,La1-x)4Ti3O12) 및 BST(BaxSr(1-x)TiO3) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체
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제 1 항에 있어서, 상기 상유전체막은 Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5 및 Nb2O5 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체
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강유전체막을 형성하는 단계와, 상기 강유전체막 표면에 상유전체막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 강유전체 제조방법으로서,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되도록 상기 강유전체막과 상기 상유전체막의 두께를 설정하며, 상기 상유전체막의 두께가 상기 강유전체막의 두께보다 얇게 되도록 상기 상유전체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막은 졸-겔법, 단원자 증착법, 화학기상 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 상유전체막은 단원자 증착법 또는 화학기상 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 강유전체막을 형성하는 단계와, 상기 상유전체막을 형성하는 단계 사이에, 상기 강유전체막에 결정성을 부여하기 위해 400 내지 700℃의 온도에서 1 내지 300분간 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 제조방법
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하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되며, 강유전체막과 상기 강유전체막 표면에 상기 강유전체막의 두께보다 얇은 두께를 갖도록 형성된 상유전체막으로 이루어진 강유전체층;상기 강유전체층 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하며,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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제 8 항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), SBT(SrBi2Ta2O9), SBTN(SrBi2(Ta,Nb)O9), BLT((Bix,La1-x)4Ti3O12) 및 BST(BaxSr(1-x)TiO3) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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제 9 항에 있어서, 상기 강유전체막은 100 내지 10000Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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제 8 항에 있어서, 상기 상유전체막은 Al2O3, HfO2, TiO2, ZrO2, Ta2O5 및 Nb2O5 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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제 11 항에 있어서, 상기 상유전체막은 5 내지 200Å 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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제 8 항에 있어서, 상기 강유전체막은 상기 강유전체막은 졸-겔법, 단원자 증착법, 화학기상 증착법 또는 스퍼터링법으로 형성되고 상기 상유전체막은 단원자 증착법 또는 화학기상 증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터
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강유전체막과, 상기 강유전체막 표면에 형성되는 상유전체막을 포함하여 이루어진 강유전체를 이용하는 MEMS 디바이스로서,상기 강유전체의 잔류 분극과 항전계가 상기 강유전체막의 잔류 분극과 항전계보다 크게 되는 두께로 상기 강유전체막과 상기 상유전체막이 형성되며, 상기 상유전체막의 두께는 상기 강유전체막의 두께보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체를 이용하는 MEMS 디바이스
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