| 요약 |
본 발명은 In-rich InGaN 양자우물층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0<y≤1, 0<x+y≤1)층 위에 질화물 반도체층을 성장시키기 위한 소스로서 In 소스와 질소 소스만을 공급하여 상기 질화물 반도체층을 성장시키는 제1 단계, 질소 소스만을 공급하고 In 소스의 공급을 중단하여 상기 질화물 반도체층의 두께를 감소시키는 제2 단계 그리고, 두께가 감소된 질화물 반도체층 위에 이 질화물 반도체층보다 높은 밴드갭 에너지를 가지는 추가의 질화물 반도체층을 성장시키는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체층을 성장시키는 방법 및 이 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공하며, 이에 의해 국소 캐리어 준위 형성, 높은 캐리어 가둠 효과 및 에너지 밴드 구조에서의 단일 에너지 레벨 형성을 통한 고효율의 단파장 자외선 광원의 제작이 가능해진다.질화물 반도체, 발광소자, 자외선 광원, 성장 정지, 발광 다이오드
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