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용액 중에서 산화반응을 이용한 반도체 양자점의 발광색상조절 방법

  • 기술번호 : KST2015159615
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액 중에서 발생하는 산화현상을 이용하여 합성된 반도체 양자점의 입자크기를 조절하여 여러 가지 발광색상을 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법을 이용하면 여러 종류의 발광색상이 요구되는 분야에 반도체 양자점을 적용하고자 할 경우, 각기 다른 발광색의 양자점이 요구되던 것을 하나의 반도체 양자점으로부터 여러 가지 색을 간편하게 만들어 낼 수 있고, 발광색상도 미세 조절이 가능하다.양자점, 발광재료, 무기형광체, 입자크기 조절, 발광색상 조절
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070029076 (2007.03.26)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0858765-0000 (2008.09.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.26)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울 관악구
2 김재일 대한민국 서울 관악구
3 이진규 대한민국 서울 강남구
4 채희권 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
3 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0234362-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0044632-93
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0349444-32
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0420870-79
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0453799-97
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000309-35
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0037135-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0192333-70
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0192334-15
12 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0392538-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) II-VI 반도체 양자점을 용매에 분산시키고 상기 반도체 양자점의 표면에 결합된 계면활성제를 제거하는 단계;(b) 상기 II-VI 반도체 양자점을 올레핀(olefin)과 산소가 반응하여 형성되는 과산화수소(hydroperoxide)에 의하여 산화 에칭하여 발광색상을 조절하는 단계; 및(c) 상기 반도체 양자점의 표면에 생성되는 에칭 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 양자점은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, 및 HgTe를 포함하는 II-VI 반도체 중 어느 하나, 상기 II-VI 반도체 중 2개를 선택하여 어느 하나를 코어(core)로 하고 다른 하나를 상기 코어의 주위를 쉘(shell)이 둘러싸는 코어/쉘의 이중구조 양자점, 상기 II-VI 반도체 중 3개를 선택하여 코어/쉘/쉘의 삼중구조 양자점, 및 상기 양자점들의 표면에 무기계 실리카(SiO2)가 코팅된 양자점 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 코어/쉘의 이중구조 양자점은 CdS/CdSe, CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdSe/CdTe, 및 CdSe/CdTe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 코어/쉘/쉘의 삼중구조 양자점은 CdSe/CdS/ZnS, CdSe/CdTe/ZnS, 및 CdTe/ZnTe/ZnSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 상기 양자점의 표면에 결합된 계면활성제 제거는, 금속 화합물의 첨가에 의해 수행됨을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 금속 화합물은, 1A족 원소(Li, Na, Ka), 2A족 원소(Ca, Mg, Sr, Ba), 전이금속 원소(Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg), 란탄족 원소(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu), 상기 원소들의 염화염, 질산염, 황산염, 인산염 및 시트르산염을 포함하는 무기 화합물, 및 상기 무기 화합물의 수화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 상기 양자점의 표면에 결합된 계면활성제 제거는, 올레핀의 첨가에 의해 수행됨을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 올레핀이 CnH2n (여기에서, n은 5 내지 20의 정수이다)의 화학식을 갖는 지방족 알켄류(alkene series), CnH2n-2 (여기에서, n은 3 내지 10의 정수이다) 화학식을 갖는 시클로알켄류(cycloalkene series) 및 CnH2n-4 (여기에서, n은 4 내지 12의 정수이다)의 화학식을 갖는 시클로알칸 디엔류(cycloalkane-diene series) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서의 상기 양자점의 표면에 결합된 계면활성제 제거는, 자외선의 조사에 의해 수행됨을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 단계 (c)에서의 상기 양자점 표면의 에칭 부산물은, 극성 용매 또는 계면활성제의 첨가에 의해 용해됨을 특징으로 하는 반도체 양자점의 발광색상 조절 방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 극성 용매는, 물, 알코올, 아민 및 카르복시산 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 계면활성제는, 폴리에틸렌글리콜 (PEG), 폴리비닐알코올(PVA), 트윈류(Tween series), 소듐도데실설페이트(Sodium dodecyl sulfate), 라우릴디메틸아민옥사이드(Lauryl dimethyl amine oxide), 세틸트리메틸암모늄브로마이드(Cetyltrimethylammonium bromide), 폴리에톡실레이티드 알코올(Polyethoxylated alcohols), 트리톤 엑스100(Triton X100), 헥사데실트리메틸암모늄 브로마이드 (Hexadecyltrimethyl-ammonium bromide (HTAB)), 폴레에틸렌 노닐페닐에테르 류, Polyethylene(2, 5, 9, 12, 40, 100) nonylphenylether), 폴리옥시에틸렌 이소옥틸페닐에테르 류 (Polyoxyethylene(2,5,12) isooctylphenyl ether), 폴리(비닐피롤리돈)(Poly(vinylpyrrolidone)) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서 사용되는 상기 올레핀은, CnH2n (여기에서, n은 5 내지 20의 정수이다)의 화학식을 갖는 지방족 알켄류(alkene series), CnH2n-2 (여기에서, n은 3 내지 10의 정수이다) 화학식을 갖는 시클로 알켄류(cycloalkene series) 및 CnH2n-4 (여기에서, n은 4 내지 12의 정수이다)의 화학식을 갖는 시클로알칸 디엔류(cycloalkane-diene series) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 상기 산화 에칭은, 레이저 및 자외광 중 어느 하나를 이용한 조사에 의해 가속화됨을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 단계 (b)에서의 상기 발광색상은, 올레핀-과산화수소의 생성량에 의해 조절됨을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 올레핀의 양은, 전체 용액중에서 5중량% 내지100중량% 범위인 것을 특징으로 하는 발광색상 조절 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.