기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

루테늄 박막 형성 방법

기술번호 : KST2015160338
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	반도체 배선용 전극으로 사용되는 루테늄 박막을 전해 도금으로 형성하는 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 루테늄 박막 형성 방법은: 반도체 기판을 마련하는 단계와, 활성화 용액에 기판을 침지시켜서 기판 표면에 활성화 물질을 증착하여 기판을 활성화하는 단계, 활성화된 기판을 루테늄 전해 도금 용액에 침지시키고 환원 전위를 인가하여 활성화된 기판 표면에 루테늄을 전해 도금하는 루테늄 증착 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 활성화된 기판은 전해 도금법에 의한 보다 균일하게 루테늄이 증착되도록 유도함으로써, 누설 전류가 감소 및 항복 전압이 증가, 즉 전기적 특성이 좋아지게 되는 효과를 나타낸다. 또한, 간단한 공정으로 보다 얇은 단차 패턴의 고품질 루테늄 박막을 형성할 수 있어서, 유전 물질을 쉽게 채워 넣을 수 있는 디램 커패시터의 하부 전극을 형성할 수 있기 때문에 반도체 산업에 지대한 영향을 끼칠 수 있다. 루테늄 박막, 전해도금, 하부 전극, 활성화 물질, 팔라듐
Int. CL	H01L 21/20 (2006.01)
CPC	H01L 28/65(2013.01) H01L 28/65(2013.01) H01L 28/65(2013.01)
출원번호/일자	1020020031577 (2002.06.05)
출원인	재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자	10-0475402-0000 (2005.02.25)
공개번호/일자	10-2003-0093737 (2003.12.11) 문서열기
공고번호/일자	(20050310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2002.06.05)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	재단법인서울대학교산학협력재단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김재정	대한민국	서울특별시 서초구
2	권오중	대한민국	서울특별시관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	허진석	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로*, ,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	케이알이 주식회사		경기도 수원시 영통구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2002.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2002-0176951-83
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0014210-48
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2004.05.11	수리 (Accepted)	4-1-2004-0020333-35
5	출원인변경신고서 Applicant change Notification	2004.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2004-5090982-12
6	보정통지서 Request for Amendment	2004.06.26	발송취소 (Cancellation of dispatch)	1-5-2004-0042577-18
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2004.10.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0426176-73
8	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2004.10.18	수리 (Accepted)	1-1-2004-5163247-62
9	의견서 Written Opinion	2004.12.09	수리 (Accepted)	1-1-2004-0580064-90
10	등록결정서 Decision to grant	2005.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0020328-40
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2008-5015497-73
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.08.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5100909-62
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.20	수리 (Accepted)	4-1-2015-5036045-28

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 기판을 마련하는 단계와; 활성화 용액에 상기 기판을 침지시켜서 상기 기판 표면에 활성화 물질을 증착하여 기판을 활성화하는 단계와; 상기 활성화된 기판을 루테늄 전해 도금 용액에 침지시키고, 환원 전위를 인가하여 상기 활성화된 기판 표면에 루테늄을 전해 도금하는 루테늄 증착 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 반도체 기판을 마련하는 단계에서, 상기 반도체 기판은 TiN, TaN, WN, 또는 TiSiN으로 확산 방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 기판을 활성화하는 단계에서, 상기 활성화 물질은 팔라듐, 주석-팔라듐 또는 은인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 활성화 용액은 상기 활성화 물질로서 팔라듐을 이용하며, 염화 팔라듐 0
5	5 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 전해 도금액은 루테늄 이온을 포함하며, 상기 루테늄 이온의 농도는 1g/L∼10g/L 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 전해 도금의 환원 전위는 표준 감홍 전극을 기준으로 하여 -1V∼-1
7	7 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 전해 도금액의 온도는 10℃∼70℃인 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 전해 도금은 상기 루테늄 전해 도금액을 교반하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법
9	8 제 1항에 있어서, 상기 루테늄 전해 도금은 상기 루테늄 전해 도금액을 교반하면서 실시하는 것을 특징으로 하는 루테늄 박막 형성 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0475402-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20020605 출원 번호 : 1020020031577 공고 연월일 : 20050310 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050117 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 루테늄 박막 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170226

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구...
2	(권리자) 케이알이 주식회사 경기도 수원시 영통구...
2	(의무자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	256,500 원	2005년 02월 28일	납입
제 4 년분	금 액	235,000 원	2008년 01월 30일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2009년 02월 02일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2010년 02월 04일	납입
제 7 년분	금 액	404,000 원	2011년 02월 09일	납입
제 8 년분	금 액	606,000 원	2012년 08월 28일	납입
제 9 년분	금 액	404,000 원	2013년 02월 26일	납입
제 10 년분	금 액	680,000 원	2014년 02월 12일	납입
제 11 년분	금 액	761,600 원	2015년 06월 18일	납입
제 12 년분	금 액	680,000 원	2016년 02월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2002.06.05	수리 (Accepted)	1-1-2002-0176951-83
2	선행기술조사의뢰서	2004.02.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2004.03.12	수리 (Accepted)	9-1-2004-0014210-48
4	출원인정보변경(경정)신고서	2004.05.11	수리 (Accepted)	4-1-2004-0020333-35
5	출원인변경신고서	2004.06.17	수리 (Accepted)	1-1-2004-5090982-12
6	보정통지서	2004.06.26	발송취소 (Cancellation of dispatch)	1-5-2004-0042577-18
7	의견제출통지서	2004.10.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2004-0426176-73
8	대리인선임신고서	2004.10.18	수리 (Accepted)	1-1-2004-5163247-62
9	의견서	2004.12.09	수리 (Accepted)	1-1-2004-0580064-90
10	등록결정서	2005.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0020328-40
11	출원인정보변경(경정)신고서	2008.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2008-5015497-73
12	출원인정보변경(경정)신고서	2014.08.22	수리 (Accepted)	4-1-2014-5100909-62
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.20	수리 (Accepted)	4-1-2015-5036045-28

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2014033217][기술보증기금(신탁)]	저온 공정이 가능한 용액 공정용 산화물 반도체를 위한 결정화 제어 방법	새창보기
[KST2017011991][기술보증기금(신탁)]	구리와 니켈과 그래핀으로 이루어지는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료(Thermal conduction EMI shield paint for semiconductor with copper and nickel and graphene)	새창보기
[KST2015011482][기술보증기금(신탁)]	유기금속 화학 증착기용 세정기	새창보기
[KST2015202496][기술보증기금(신탁)]	양자섬을 삽입한 고품질 반도체 소자용 기판의 제조 방법	새창보기
[KST2015192879][기술보증기금(신탁)]	기상증착법 수행이 가능한 유기금속화학증착 장치	새창보기
[KST2015146802][기술보증기금(신탁)]	기판 가공 방법	새창보기
[KST2015014087][기술보증기금(신탁)]	화합물 반도체 기판 및 이의 제조 방법	새창보기
[KST2015091097][기술보증기금(신탁)]	반도체 기판의 제조방법	새창보기
[KST2016020720][기술보증기금(신탁)]	탄소 나노튜브의 수직 성장을 위한 촉매의 증착 방법(Method of depositing catalyst for vertical growth of carbon nanotube)	새창보기
[KST2014044741][기술보증기금(신탁)]	플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어를 구비하는 전자 소자	새창보기
[KST2015196041][기술보증기금(신탁)]	문턱 스위칭용 ｄｏｐｅｄ－ＧｅＴｅ 박막의 형성 방법	새창보기
[KST2015160763][기술보증기금(신탁)]	Ｒｕ 박막 증착방법	새창보기
[KST2015180952][기술보증기금(신탁)]	태양 전지 제조방법	새창보기
[KST2015128961][기술보증기금(신탁)]	표면 처리를 위한 유전체 장벽 방전 반응기	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택